4H-SiC同质外延生长肖特基二极管利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm,载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超...
SiC器件不能在晶圆上直接制备,而是需要在SiC晶圆上沉积生长外延膜,利用外 延膜生产器件,因此SiC外延在产业链中处于承上启下的重要位置。 SiC薄膜生长方法有多种,其中化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精确控制 外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点,是生长用于制...
SiC器件不能在晶圆上直接制备,而是需要在SiC晶圆上沉积生长外延膜,利用外 延膜生产器件,因此SiC外延在产业链中处于承上启下的重要位置。 SiC薄膜生长方法有多种,其中化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点,是生长用于制造...
了4H-SiC功率器件性能的进一步提高以及在电力电子领域的应用。本文针对4H-SiC 同质外延材料生长中存在的问题,以获得高质量的4英寸厚膜外延材料为目的,主要 的研究内容及创新成果如下: 1.对新型表面三角形缺陷的形貌、结构及产生机理进行了研究。通过光学显微镜、 拉曼散射、电子背散射衍射、透射电子显微镜、激光共聚焦显...
科学研究创新高均匀性150mm4H-SiC外延生长 孙永强 （瀚天天成电子科技（厦门）有限责任公司福建厦门361101）摘要：本文采用单片热壁反应炉在偏4°斜切150mm4H-SiC衬底上进行同质外延生长。首先，通过不引入 基座旋转进行外延生长，分别测量出水平和垂直于气流方向上外延厚度和浓度分布，确认了生长源和N型掺 杂源在晶片...
虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H-SiC衬底的同质外延生长,但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上,这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。在这项工作中,我们展示了一种简便的方法,通过自制的常规单晶片化学气相沉积设备,在没有大型基座的情况下,在简单的支架上放置多片4H-...
近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门召开。期间,“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,河北普兴电子科技股份有限公司产品总监张永强分享了200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长的最新研究进展。
本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点, 将SF分为五类。其中I类SF在PL通道图中显示为梯形, 在形貌图中不显示; II类SF在PL通道图中显示为三角形, 且与I类SF重合, 在形貌图中显示为胡萝卜形貌。
法;对影响器件性能的非刻意掺杂11型4H.SiC外延中的本征深能级等相关问题进 行了广泛深入的研究。主要的研究成果如下: 1.在理论分析的基础上,对4H.SiC同质外延生长的关键工艺进行了实验研 究,得出影响这些材料参数的主要因素。确定了关键参数变化趋势,制定了完整 ...
目前,外延生长技术是常用的可靠4H-SiC材料和器件制造方法,而键合技术提供了另一种新的方案。表面活化键合(SAB)技术由于其室温工艺和几乎不需要辅助中间层的优点而成为一种具有前景的晶圆级工艺方法。虽然理想的同质界面热阻(TBR)为零,但实际的外延或键合界面的质量往往不完美,可能会阻碍器件的散热。因此,研究4H-SiC...