研究的创新性在于首次报道了 CVD 生长的双层 3R MoS2 的室温铁电性。通过多种技术如 STEM、SHG、SKPM、PFM 等对其进行全面表征,从实验和理论计算两方面阐述了其基于层间滑动的铁电机制,还展示了相关器件的性能。 原文链接:https://doi.org/10.1002/adma.202400670...
在这项工作中,首次报道了通过化学气相沉积(CVD)生长的双层3R相MoS2中观察到的铁电性实验结果。采用扫描透射电子显微镜(STEM)和二次谐波生成(SHG)表征来识别非中心对称的晶格结构。通过扫描开尔文探针显微镜(SKPM)观察到了双层MoS2晶体3R堆叠区域的固有垂直极化。通过压电力显微镜(PFM)的写入—读取测试确认了具有相反极化...