此外,具有可调扭转角的同质结构的SHG响应与周期性极化QPM模型高度相关,这使得3R-MoS2成为一种卓越的二维材料SHG器件候选材料,例如通过范德华堆叠与可调扭转角生成具有可调相位匹配条件的双层SHG晶体。 研究者还通过3R-MoS₂同质结构的QPM验证了增强的自发参量下转换(SPDC)。这一成就进一步证明了通过QPM技术成功提升非...
研究表明通过 CVD 直接生长的约 1.3nm 的双层 3R MoS2 在室温下具有面外铁电性。通过 DFT 计算说明了基于层间滑动的界面铁电起源,SKPM 和 Dart - SS - PFM 检测到其自发极化和铁电转换,Au/3R MoS2/Pt 器件性能使其有望用于新型存储器。CVD 合成的高质量铁电 3R MoS2 将推动其他双层或多层铁电 TMDs 的发...
在这项工作中,首次报道了通过化学气相沉积(CVD)生长的双层3R相MoS2中观察到的铁电性实验结果。采用扫描透射电子显微镜(STEM)和二次谐波生成(SHG)表征来识别非中心对称的晶格结构。通过扫描开尔文探针显微镜(SKPM)观察到了双层MoS2晶体3R堆叠区域的固有垂直极化。通过压电力显微镜(PFM)的写入—读取测试确认了具有相反极化...