此外,具有可调扭转角的同质结构的SHG响应与周期性极化QPM模型高度相关,这使得3R-MoS2成为一种卓越的二维材料SHG器件候选材料,例如通过范德华堆叠与可调扭转角生成具有可调相位匹配条件的双层SHG晶体。 研究者还通过3R-MoS₂同质结构的QPM验证了增强的自发参量下转换(SPDC)。这一成就进一步证明了通过QPM技术成功提升非...
鉴于此,西北工业大学的王学文教授和南洋理工大学的刘政教授团队发表了题为“Vapor Deposition of Bilayer 3R MoS2with Room-Temperature Ferroelectricity”的工作在Advanced Materials期刊上。在这项工作中,首次报道了通过化学气相沉积(CVD)生长的双层3R相MoS2中观察到的铁电性实验结果。采用扫描透射电子显微镜(STEM)和二次...
3R-MoS2是二硫化钼的一种多态性结构,其中Mo原子和S原子以特定的方式排列,形成了一种稳定的晶体结构。这种晶体结构赋予了3R-MoS2独特的物理和化学性质。与2H-MoS2相比,3R-MoS2在电学、光学和热学性质上有所差异,但其具体性能和应用取决于制备方法和条件。 在电学性能方面,3R-MoS2具有半导体...
近日,日本 东京大学 (The University of Tokyo) Yu Dong,Yoshihiro Iwasa等,日本理化学研究所(RIKEN) 衍生物质科学研究中心(Center for Emergent Matter Science) Ming-Min Yang等,在Nature Nanotechnology上发文,报道发现了应变诱导极化,可以显著增...
研究发现的双层 3R MoS2 的室温铁电性为非易失性存储器件提供了理想候选材料。有助于推动 2D 材料在记忆电子学晶圆级集成中的应用,对开发其他双层或多层铁电 TMDs 有积极意义,也为原子层铁电半导体在现代电子中的应用提供了更多可能。 研究的创新性在于首次报道了 CVD 生长的双层 3R MoS2 的室温铁电性。通过多...
Nat. Nanotechnol.:3R-MoS2中的巨体压电光伏效应 低维 昂维 2022-12-05498 成果介绍 由于其与固体波函数几何的固有耦合及其提高太阳能转换效率的潜力,体光伏效应(BPVE)在过去十年中受到了相当大的关注。BPVE最初是在铁电氧化物材料中发现和发展起来的,现在已经在广泛的新兴材料中得到了探索,如Weyl半金属、范德...
MoS2(3R)晶体结构 MoS2（3R）晶体结构
布法-Sb2Se3铟镓硒晶体-InGaSe2-2D铅铋碲晶体-PbBi2Te4Kish石墨晶体-Kish graphite灰砷晶体-Grey arsene-2D天然二硫化钼晶体-MoS2-HQ钠锌碲氧晶体-Na2Zn2TeO6砷化钽晶体-TaAs3R-二硫化钼晶体-3R-MOS2氯化钌晶体-RuCl33R二硫化钼晶体-3R-MOS2氧化镓晶体-Ga2O3-layered三硒化二铟晶体- In2Se3-β-phase-...
CVD-MoS2xSe2(1-X)合金单晶/CVD-WS2-WSe2面内异质结定制 -- -- 西安齐岳生物科技 -- ￥100.0000元>=1 件 西安齐岳生物科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 原装正品 AO3415丝印贴片 AO3415原装现货 AO3415 243443 MOS
本发明属于二硫化钼制备的技术领域,公开了一种3RMoS2粉体的制备方法.方法:1)将钼酸盐滴入氯化亚锡反应,获得前驱体粉末;2)将前驱体粉末和升华硫粉分别置于高温区和低温区,分别加热至所需的温度,并通入载气使得硫粉载入高温区进行反应,冷却,获得3R型MoS2粉体;高温区所需的温度为890～910℃,高温区的升温速率为5...