研究表明通过 CVD 直接生长的约 1.3nm 的双层 3R MoS2 在室温下具有面外铁电性。通过 DFT 计算说明了基于层间滑动的界面铁电起源,SKPM 和 Dart - SS - PFM 检测到其自发极化和铁电转换,Au/3R MoS2/Pt 器件性能使其有望用于新型存储器。CVD 合成的高质量铁电 3R MoS2 将推动其他双层或多层铁电 TMDs 的发...
总之,这项工作观察到了直接通过CVD生长的双层3R相MoS2(≈1.3 nm)在室温下的面外铁电性。密度泛函理论(DFT)计算阐明了基于层间滑移的界面铁电性起源。通过扫描开尔文探针显微镜(SKPM)和Dart-SS-PFM技术检测到了双层3R MoS2的自发极化和铁电开关特性。较大的矫顽电场与先前的报道吻合良好,这是因为微米尺度的单晶MoS2...
Piezoelectric force microscopy (PFM) hysteretic loops and first principle calculations demonstrate that the ferroelectric nature and polarization switching processes are based on interlayer sliding. The vertical Au/3R MoS2/Pt device exhibits a switchable diode effect. Polarization modulated Schottky barrier ...