近日,日本 东京大学 (The University of Tokyo) Yu Dong,Yoshihiro Iwasa等,日本理化学研究所(RIKEN) 衍生物质科学研究中心(Center for Emergent Matter Science) Ming-Min Yang等,在Nature Nanotechnology上发文,报道发现了应变诱导极化,可以显著增...
研究表明通过 CVD 直接生长的约 1.3nm 的双层 3R MoS2 在室温下具有面外铁电性。通过 DFT 计算说明了基于层间滑动的界面铁电起源,SKPM 和 Dart - SS - PFM 检测到其自发极化和铁电转换,Au/3R MoS2/Pt 器件性能使其有望用于新型存储器。CVD 合成的高质量铁电 3R MoS2 将推动其他双层或多层铁电 TMDs 的发...
通过扫描开尔文探针显微镜(SKPM)和Dart-SS-PFM技术检测到了双层3R MoS2的自发极化和铁电开关特性。较大的矫顽电场与先前的报道吻合良好,这是因为微米尺度的单晶MoS2域具有强钉扎中心。Au/3R MoS2/Pt器件的性能使其成为新型存储器的有前景候选材料。通过CVD合成的高质量铁电3R MoS2将推动其他双层或多层铁电过渡金属二...
有鉴于此,近日,日本东京大学Yoshihiro Iwasa等研究表明,应变诱导的极化可以显著增强非中心对称菱面体型MoS2多层片(即3R-MoS2)的BPVE。这种极化增强的BPVE被称为压电光电效应,表现出独特的晶体方向依赖性,增强主要表现在3R-MoS2晶格的armchair方向,而在zigzag方向上基本保持不变。此外,当施加0.2%的面内拉伸应变时,光...
布法-Sb2Se3铟镓硒晶体-InGaSe2-2D铅铋碲晶体-PbBi2Te4Kish石墨晶体-Kish graphite灰砷晶体-Grey arsene-2D天然二硫化钼晶体-MoS2-HQ钠锌碲氧晶体-Na2Zn2TeO6砷化钽晶体-TaAs3R-二硫化钼晶体-3R-MOS2氯化钌晶体-RuCl33R二硫化钼晶体-3R-MOS2氧化镓晶体-Ga2O3-layered三硒化二铟晶体- In2Se3-β-phase-...
本发明属于二硫化钼制备的技术领域,公开了一种3RMoS2粉体的制备方法.方法:1)将钼酸盐滴入氯化亚锡反应,获得前驱体粉末;2)将前驱体粉末和升华硫粉分别置于高温区和低温区,分别加热至所需的温度,并通入载气使得硫粉载入高温区进行反应,冷却,获得3R型MoS2粉体;高温区所需的温度为890～910℃,高温区的升温速率为5...
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MoS2(3R)晶体结构 MoS2（3R）晶体结构
We theoretically investigate the mechanism of ferroelectric switching via interlayer shear in 3R MoSusing first principles and lattice dynamics calculations. First principle calculations show the prominent anharmonic coupling of the infrared inactive interlayer shear and the infrared active phonons. The ...
www.nature.com/scientificreports OPEN received: 14 January 2016 accepted: 21 March 2016 Published: 07 April 2016 Modulation of electronic properties from stacking orders and spin-orbit coupling for 3R-type MoS2 Xiaofeng Fan1,2, W. T. Zheng1, Jer-Lai Kuo3, David J. Singh4, ...