3C-SiC(cubic silicon carbide)是一种碳化硅的晶体结构,也被称为β-SiC。它具有立方晶体结构,属于空间群F43m。每个晶胞包含两个原子:一个硅原子和一个碳原子。 在3C-SiC中,硅和碳原子以四面体结构排列,其中每个碳原子与周围四个硅原子形成共价键,形成了六元环的结构。这种结构类似于钻石结构,并且在三个维度上都...
期间,“超宽禁带半导体技术”分会上,大阪公立大学副教授梁剑波做了“增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能,以适应实际器件应用”的主题报告,分享了最新研究成果。涉及晶体生长法在金刚石上生长GaN、金刚石结构上的晶片键合GaN、键合第一器件制造工艺、表面活性键合制备Si/金刚石界面、金刚石衬底上GaN高电子迁移率晶...
最近对于SiC体材料及其多型体的表面结构、电子结构和光学性质研究得比较多[4-7],在热力学和弹性性质方面,Karch等人[8,9]早在1996年就运用第一性原理研究了3C-SiC的结构,晶格常数和热力学性质;Zywietz等人[10]运用第一性原理对SiC多型体的热力学性质进行了研究,成功地获得了自由能、热容、德拜温度等性质参数;...
3C-SiC电子结构和铁磁性的第一性原理研究 优先出版 基于第一性原理计算的方法,研究了3C-SiC中缺陷的磁学性质。结果表明,-1价和-2价的硅空位可分别引入3μB和2μB的磁矩,而中性的硅空位却不能引入自发的自旋极化。由于缺... 林雪玲,潘凤春 - 《山东大学学报(理学版)》 被引量: 0发表: 2014年 掺铝3C-...
西安博尔新材料有限责任公司是一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业,也是全球首家突破技术壁垒,填补国内外空白,自主发明实现工业化生产立方碳化硅(3C-SiC)微粉和晶须的专业企业。注册资本4771.67万元。目前,公司的主导产品为立方碳化硅微粉及其下游半导体、陶瓷制品等,...
摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-SiC 的电子结构和磁性。结果表明：本征3C-SiC没有磁性，单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响，但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在A1和Si空位共掺杂3C-SiC的结构中，Si空位近邻的C原子的自旋向上与自旋...
本发明专利技术公开了一种3C‑SiC外延结构,所述3C‑SiC外延结构由下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、3C‑SiC外延层;通过在衬底和3C‑SiC外延层之间插入了禁带宽度和临界击穿场强更高的GaN缓冲层,提升了3C‑SiC器件的耐压性能;且在Si衬底上生长3C‑SiC时,在升温过程中Si原子的扩散会形成界面空洞,通过在Si衬...
65×105原子单位,为了关于3C和4H—SiC的原子的计算,分别构建自洽原子。对C的最低和最高指数为0。1和0。65×105,我们引入了22个高斯轨道为Si和C的S和P状态的原子波函数的以外原子波函数硅(3d),我们使用18高斯轨道发现,最佳基组[18,19,24]为原子轨道函数线性组合计算的电子结构的3C-SiC和4H—SiC的原子轨道...
1、SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究【摘要】 本文通过第一性原理研究了两部分内容:SrTiO3材料的电子结构及其属性的研究和3C-SiC的热力学性质及热输运性质的研究。首先基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势计算方法,采用广义梯度近似(WC泛函)对SrTiO3材料的电子结构及其属性进行研究,主要内容分三个...