3C-SiC(cubic silicon carbide)是一种碳化硅的晶体结构,也被称为β-SiC。它具有立方晶体结构,属于空间群F43m。每个晶胞包含两个原子:一个硅原子和一个碳原子。 在3C-SiC中,硅和碳原子以四面体结构排列,其中每个碳原子与周围四个硅原子形成共价键,形成了六元环的结构。这种结构类似于钻石结构,并且在三个维度上都...
sic热力学性质弹模平面波零压 [Article].whxb.pku.edu3C-SiC的结构和热力学性质胡燕飞1,*孔凡杰2周春3(1四川理工学院物理系,四川自贡643000;2四川大学原子与分子物理研究所,成都610065;3四川师范大学物理与电子工程学院,成都610068)摘要:利用第一性原理平面波模守恒赝势密度泛函理论研究了3C-SiC的结构,其零温(0K...
一种含超级结的3C-SiC外延结构专利信息由爱企查专利频道提供,一种含超级结的3C-SiC外延结构说明:本实用新型公开了一种含超级结的3C‑SiC外延结构,所述含超级结的3C‑SiC外延结构由下之上...专利查询请上爱企查
和 3C—SiC又称为 一SiC,其晶格具有闪锌矿结构 2 .使用 空间Monkhorst—Pack格点 [(8x8x8) (立方相),每个原胞 内有一个 si原子和一个 c原子, 和平面波截止能量(5ooeV)来保证计算的精度.总 空间群为f-43mt~O1.为了确定3C.SiC体结构性质,我 能量差小于 10 eV·atom-1时则认为 自洽收敛.所有 们...
一种3c-sic外延结构,所述3c-sic外延结构由下至上依次包括衬底、gan缓冲层、3c-sic外延层;直接在衬底上生长3c-sic外延层所得到的3c-sic外延结构的禁带宽度和临界击穿场强较低,制约了3c-sic在高压器件方面的应用,通过在衬底和3c-sic外延层之间插入禁带宽度和临界击穿场强更高的gan缓冲层,可提升3c-sic器件的耐压性...
接下来, 我们分别针对最近在实验上新发现的岛状3C.SIC(111)表面和6 H.SIC(0001)表面上出现的结构不同的( 243×2(3)R30。 再构提出了两个si原子覆盖度不同的结构模型( double.trimer模型和single.trimer模型)。 我们模拟的这两个模型的S TM 图像与实验中观... 文档格式:PDF | 页数:81 | 浏览次数:39 ...
西安博尔新材料有限责任公司是一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业,也是全球首家突破技术壁垒,填补国内外空白,自主发明实现工业化生产立方碳化硅(3C-SiC)微粉和晶须的专业企业。注册资本4771.67万元。目前,公司的主导产品为立方碳化硅微粉及其下游半导体、陶瓷制品等,...
3C和4H-SiC中的电子结构和电荷转移摘要:我们使用一个局部密度泛函势、原子轨道线性组合(LCAO)法以及BZW程序,研究了3C-SiC和4H-SiC的电子结构。我们计算了能带、带隙、n-型载流子的有效质量以及临界点转变能量。计算出的电子性质与实验结果很好地吻合。对3C-SiC的初始总能量计算,找到了一个平衡晶格常数a=4.348Å...
期间,“超宽禁带半导体技术”分会上,大阪公立大学副教授梁剑波做了“增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能,以适应实际器件应用”的主题报告,分享了最新研究成果。涉及晶体生长法在金刚石上生长GaN、金刚石结构上的晶片键合GaN、键合第一器件制造工艺、表面活性键合制备Si/金刚石界面、金刚石衬底上GaN高电子迁移率...