3C-SiC(cubic silicon carbide)是一种碳化硅的晶体结构,也被称为β-SiC。它具有立方晶体结构,属于空间群F43m。每个晶胞包含两个原子:一个硅原子和一个碳原子。 在3C-SiC中,硅和碳原子以四面体结构排列,其中每个碳原子与周围四个硅原子形成共价键,形成了六元环的结构。这种结构类似于钻石结构,并且在三个维度上都...
①、β-SiC属立方晶系,其晶体的等轴结构特点决定了该粉体具有比α-SiC好的自然球度和自锐性,因而在精密研磨方面有更好的磨削和抛光效果,在材料、密封制品和军工制品生产时有更优异的密封特性,使其制品有更好的密度。 ②、β-SiC制造时温度远低于α-SiC,因而其颗粒更容易细化和均化,而且可生产大量纳米~亚微米...
在众多SiCD多型中,3C-SiC为唯一的立方晶系多型,又称为β-SiC,这种晶体结构中,Si和C原子以一对一的比例存在于晶格中,每个原子被四个异种原子围绕,形成了强共价键的四面体结构单元。3C-SiC的结构特点在于Si-C双原子层按照ABC-ABC-…的顺序重复排列,每个晶胞含有三个这样的双原子层,这被称为C3表示法;3C-SiC的...
3C-SiC是指β型的碳化硅(Silicon Carbide)晶体,也称为立方晶型碳化硅(cubic silicon carbide)。它具有类似于钻石的结构,但是晶体结构是立方晶系的。 1200℃退火后的薄膜形成了3C-SiC晶体。3C-SiC在半导体行业中备受关注,因为它具有多种性能,包括高热导率、高击穿电场强度、优良的热稳定性和化学稳定性。这些性能使得...
我们先来看看3C-SiC的优势。 目前,SiC材料已知的晶体结构有250多种,主要类型有六方体(2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC)和立方体3C-SiC等。 实际上,如果从材料特性来看,相比4H-SiC晶型材料,3C-SiC在禁带宽度、击穿场强等各方面都处于劣势,这也是为什么主流的商用器件都是在4H-SiC上制造的原因之一。但是,3C-SiC被认为...
1. 晶体结构差异：3C-SiC拥有立方晶格结构，4H-SiC呈现出四方晶格特征，而6H-SiC则具有六方晶格结构。2. 应用领域区分：3C-SiC适合用作磨料、半导体材料以及高温半导体材料。4H-SiC适用于高温环境、高频应用和大功率电子器件制造。6H-SiC则在高功率、高温以及高频电子器件领域表现出优势。
SiC 作为下一代功率半导体的材料备受关注,其实际应用正在取得进展。多为六方棱柱晶的“4H-SiC”和“6H-SiC”。与这些相比,“3C-SiC”具有更简单的晶体结构,并有望具有更高的热导率。而国外制造的3C-SiC的导热系数为90W/m·K,低于6H-SiC的实测值(320W/m·K)。
一、3C SiC的堆叠序列 3C SiC是一种具有菱面晶体结构的碳化硅材料。它的堆叠序列是ABCABC...,其中A、B、C分别代表不同的原子层。具体而言,A层是由碳原子组成,B层则是由硅原子组成,C层同样由碳原子组成。这种堆叠序列使得3C SiC具有一些独特的性质和应用。 1. 光电子应用 由于3C SiC具有宽禁带宽度和高电子...
SiC的晶型有2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等。其中,按照“ABCB”顺序进行堆垛的结构称为4H晶型。 3C-SiC具有立方晶系结构,每个硅原子被四个碳原子和四个相邻的硅原子所包围。这种结构具有最高的理论电子速度,但也容易受到杂质的影响,导致杂质腐蚀痕迹。 4H-SiC和6H-SiC都属于六方晶系,它们的原子...