详情是将6H-SiC或4H-SiC衬底放置在坩埚顶部,以高纯的SiC微粉作为SiC原料,放置在石墨坩埚底部,坩埚通过射频感应加热至1900-2100℃,控制衬底温度低于SiC源,在坩埚内部形成轴向温度梯度,这样使得升华的SiC物质可以在衬底上凝结并结晶,形成3C-SiC异质外延。 升华外延的优势主要有两个方面:1. 外延温度高,可以减少晶体缺陷;...
文献提到,该团队是通过在4H-SiC衬底上生长3C-SiC单晶,技术成果超出了以往理论预期,通过这项技术,他们能够持续稳定地生长高质量和大尺寸的3C-SiC晶体——直径为2~4英寸,厚度为4.0~10毫米。 该团队认为,该技术拓宽了异质晶体生长的机制,并为3C-SiC晶体的大规模生产提供了可行的途径,未来3C-SiC功率器件性能有望比目...
图1 3C-SiC PiN二极管的横截面示意图 在p型注入区域,我们制备了传输线方法(TLM)结构,并测试了其室温I-V特性,如图2所示。从结果中观察到欧姆行为,且最低的特定接触电阻达到10^4 X cm^2,这在近期报道的p型3C-SiC中属于较低水平。这一优异的接触电阻主要得益于生长条件、抛光方法的优化以及快速热处理(RTP)技...
高稳定性和高电流密度的3C-SiC二极管器件具有的低正向偏置电压和低反向漏电流密度也源于RTP快速退火炉的良好表现,RTP系列产品是武汉嘉仪通科技有限公司的核心产品,具有最高温度可达1200℃,最高升温速率可达150℃/s,最快降温速率达1200℃/min等高性能参数,在薄膜材料制备及热处理方面展现出诸多优势,形成鲜明的行业竞争...
参照图1,显示了通过根据本发明的外延生长方法生产的3C-碳化硅/硅(3C-SiC/Si)异质结构1。 3C-SiC/Si异质结构1包括具有上表面3的单晶硅基板2以及直接置于硅基板2的上表面3上的3C-SiC单晶层4(本文中也成为“外延层(epitaxiallayer)”或“外延层(epitaxiallayer)”,或简化为“层”)。然而,无需使用单晶硅基板2。
图3为实施例1所得3c-sic薄膜表面(a)和断面(b)sem图; 图4为实施例1中3c-sic薄膜多孔结构形成机制示意图; 图5为实施例1所得多孔3c-sic薄膜在浓度为2mol/l的kcl溶液中所测得的电化学cv曲线(a),及比电容变化趋势图(b)。 具体实施方式 为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明作...
本报告旨在探讨第三代半导体材料碳化硅(SiC)的发展背景、现状、材料物理特性和晶体生长技术。研究背景硅(Si)作为集成电路最基础的材料,构筑了整个信息产业的最底层支撑。然而随着硅与化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)在光电子、电力电子和射频微波等领...
2003 文章编号:1000-7032(2003)02-0130-05Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究孙国胜,孙艳玲,王雷,赵万顺,罗木昌,李建平,曾一平,林兰英(中国科学院半导体研究所,北京 100083)利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-摘要:Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成...
sic外延生长缺陷衬底单晶 外延生长3C-SiC的缺陷研究摘要SiC是一种具有广阔应用前景的宽禁带半导体材料,具有高的饱和电子漂移速率、高的热导率、高的临界击穿电场强度等特点。本利用透射电子显微镜,对以4H-SiC晶体为衬底,利用化学气相沉积法外延生长的3C-SiC薄膜进行微观结构分析。利用聚焦离子束系统与扫描电镜结合的双束...
西北工业大学李贺军院士团队针对热喷涂SiC易分解且涂层孔隙率较高等问题提出了一种新的设计理念,在ZrC-SiHfOC造粒粉末表面包覆MoSi2保护层形成核壳结构粉末,以期达到减少热喷涂过程中SiC的分解。首先,利用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对ZrC-SiHfOC粉末进...