今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度...
相比planar,FinFET晶体管具有更小的漏电流,和很低的gate delay: FinFET结构很关键的几个参数:Fin width/Height/Pitch FinFET/Planar工艺对比表: 22nm Gate Last Process Flow: Fin loop: 主要包括Line pattern, Fin etch, Fin Cut1, Fin Cut2, SDB, Fin CMP. 定义Fin的图形和基本结构。 -1- Wafer-start...
曝光,Amorphous Carbon作为Hard Mask一直向下etch,P/N-Well区域都留下Amorphous Silicon的形状做为gate,实际上这是dummy gate,后面会remove,在填充High-K介质和金属gate。 18. 2nd Gate Electrode Patterning 这一步主要是把右边多余的dummy gate去掉。 19. Offset Spacer Deposition 接下来先通过热氧化生成一层poly ...
曝光,Amorphous Carbon作为Hard Mask一直向下etch,P/N-Well区域都留下Amorphous Silicon的形状做为gate,实际上这是dummy gate,后面会remove,在填充High-K介质和金属gate。 18. 2nd Gate Electrode Patterning 这一步主要是把右边多余的dummy gate去掉。 19. Offset Spacer Deposition 接下来先通过热氧化生成一层poly ...
最近有点时间,根据网上的资料。来梳理下22nm Finfet process 介绍,总体来说,Finfet的结构类似,14nm同理。 1.一般选择<100>重掺杂的P+,0.01Ω-cm 的Si衬底。进产线前一般都会长大概~1um的外延层(EPI WAFER). 2.用piranha+HF+SC1+SC2,清除wafer表面,去除有机物,particle及金属离子,native oxide。
上篇主要介绍了Fin的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上PR和BARC,然后进行litho和etch,使NMOS区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使fin的表面形成一层Extension Implant区域。 21. PMOS Extension Implant 同理在PMOS区域进行硼离子注入。
22nm平面工艺流程介绍 今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 Pad Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,然后再生长一层Pad Oxide。此氧化层充当...
22nm FinFET (4)22 nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍 (4) 22nm后栅FinFET工艺流程(湿法版)(4) #半导体FinFET#鳍式晶体管 #22纳米 14纳米 7纳米 3纳米# - 淡然2018于20231111发布在抖音,已经收获了3个喜欢,来抖音,记录美好生活!
22nm平面工艺流程介绍 今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 Pad Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,然后再生长一层Pad Oxide。此氧化层充当...
w 22nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍(中) 上篇主要介绍了 Fin 的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上 PR 和 BARC,然后进行 litho 和 etch,使 NMOS 区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使 fin 的表面形成一层 Extension Implant 区域。