日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。 于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172 mW...
封装: PAK1212-8S 批号: 新年份 数量: 8660 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: ...
封装: PowerPAK_1212-8S 批号: 23+ 数量: 88598 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 23 A Rds On-漏源导通电阻: 47 mOhms Vgs - 栅极-源极电压...
” Vishay推出采用PowerPAK®ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET®P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率,是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-20V器件,占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。 Si5411ED...
封装 PowerPAK-1212-8S 批号 23+ 数量 30000 描述 MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 14 周 详细描述 表面贴装型-N-通道-100V-36.5A(Tc)-3.7W 数据列表 SISS40DN; 标准包装 3,000 ...
封装: PPAK1212-8S 批号: 1944 数量: 6000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK1212-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 63 A Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms Vgs - 栅极-源极...
封装 PowerPAK 1212-8S 批号 23+ 数量 30000 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 PowerPAK-1212-8 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 50 A Rds On-漏源导通电阻 5.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压...
封装: POWERPAK1212-8S 批号: 24+ 数量: 30000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压...
封装: PAK1212-8S 批号: 22+ 数量: 10000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 23 A Rds On-漏源导通电阻: 47 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20...
封装: PowerPAK 1212-8S 批号: 23+ 现货 数量: 10000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms Vgs ...