封装: PowerPAK_1212-8S 批号: 23+ 数量: 88598 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 23 A Rds On-漏源导通电阻: 47 mOhms Vgs - 栅极-源极电压...
封装 PowerPAK-1212-8S 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Vgs - 栅极-源极电压 - 16 V, + 20 V 可售卖地 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏;新疆 ...
封装: PAK1212-8S 批号: 新年份 数量: 8660 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: ...
宾夕法尼亚、MALVERN—2020年2月11日 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出新型-30 V p沟道TrenchFET 第四代功率MOSFET---SiSS05DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET在开关应...
Vishay推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。
封装: PowerPAK 1212-8S 批号: 23+ 现货 数量: 10000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms Vgs ...
INFINEON/英飞凌 电子元件 BSC252N10NSF 封装TDSON-8 全新进口原装 ￥1.00 查看详情 ICS 电子元件 ICS557GI-05ALFT 封装SOP-8 全新进口原装 ￥1.00 查看详情 HEXIN/禾芯微 电子元件 HX4002-MFC 封装QFN 全新进口原装 ￥1.00 查看详情 INFINEON/英飞凌 电子元件 ESD204-B1-02EL E6327 封装SOP-8 全新进口...
封装: PPAK1212-8S 批号: 1944 数量: 6000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK1212-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 63 A Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms Vgs - 栅极-源极...
封装: PPAK1212-8S 批号: 1905 数量: 3000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK1212-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 63 A Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms Vgs - 栅极-源极...
封装 PowerPAK-1212-8S 批号 23+ 数量 30000 描述 MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 14 周 详细描述 表面贴装型-N-通道-100V-36.5A(Tc)-3.7W 数据列表 SISS40DN; 标准包装 3,000 ...