封装: PowerPAK 1212-8 批号: 新年份 数量: 8660 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 35 A Rds On-漏源导通电阻: 6.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电...
封装 PowerPAK1212-8 批号 20+ 数量 149619 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列 TrenchFET® FET 类型 N 通道 漏源电压(Vdss) 30V Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),15.6W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 PowerPAK® ...
采用PowerPAK 1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
封装 PowerPAK-1212-8 批号 22+ 数量 9000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 80C 最小电源电压 1V 最大电源电压 7.5V 长度 5.6mm 宽度 7.1mm 高度 1.1mm 可售卖地 全国 型号 SQS405EN-T1-GE3 深圳市腾迅辉电子科技有限公司 简介深圳市 腾迅辉电子科技...
SI7106DN-T1-GE3 PowerPAK-1212-8封装 场效应管(MOS)VISHAY/威世 SI7106DN-T1-GE3 37612 VISHAY/威世 PowerPAK-1212-8 新批号 ￥1.0000元>=1 个 深圳市庆隆伟业科技有限公司 3年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 VISHAY/威世 场效应管 SI7415DN-T1-E3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 12...
PowerPAK1212-8SingleFig.2-PowerPAK1212-8SingleandDualTABLE1-PACKAGECOMPARISONPACKAGEDIMENSION(mm)PCBAREA(mm2)COMPARABLEPARTPOWERRATING(W)PowerPAK1212-83.4x3.4x1.1211.561.5SOIC-85.0x4.0x1.75201.7DPAK10.41x6.73x2.3870.062.0VISHAY一级代理:威柏电子有限公司"PowerPAK1212-8",TheProvenAutomotivePackage.vishay...
封装: POWERPAK 1212-8 批号: 20+/21+ 数量: 26510 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 12 A Rds On-漏源导通电阻: 24 ...
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封装 PowerPAK 1212-8 批号 2022+ 数量 500000 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 PowerPAK-1212-8 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 100 V Id-连续漏极电流 13.2 A Rds On-漏源导通电阻 134 mOhms Vgs - 栅极-源极...