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Vishay / Siliconix TrenchFET® 第四代 MOSFET 是新一代 TrenchFET® 系列功率 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 和 1212-8S 封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET 第四代 MOSFET 具有超低RDS(on) 特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。典型应用包括大功率 DC/DC 转换器、同步整流器...
封装: PowerPAK SO-8 批号: 23+ 数量: 3000 制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 参考电压 RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOIC-8 参考类型: Series Precision References 输出电压: 5 V 初始准确度: 0.04 % 温度系数: 25 PPM / C 串联VREF—输入电压—最大值: 18 V 分流电流—最大...
新型20V n 通道器件 --- SiR440DP,扩展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK SO-8 封装,在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。 SiR440DP 在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.0m,在 10V 栅极驱动时最大导通电阻为 1.55m。导通电阻与栅极电荷乘积是直流...
封装: PowerPAK-SO-8 数量: 5325 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 30 A Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms Vgs - ...
封装: PowerPAK SO-8L 批号: 22+ 数量: 15000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压...
SO-8L 非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的 Vishay Siliconix SQJ264EP 旨在满足汽车行业节省空间以及提高 DC/DC 开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个 5mm x 6mm 的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边 MOSFET,低边 MOSFET 的最大导通电阻低至 8.6 m。
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价格 ¥ 0.20 起订数 10000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 NTJD5121NT1G、 TECH PUBLIC(台舟)、 PowerPAK-SO-8 商品图片 商品参数 品牌: TECH PUBLIC(台舟) 封装: PowerPAK-SO-8 批号: 24+ 数量: 15000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SIR871DP-T1-GE3、 Vishay(威世)、 PowerPAK SO-8 Single 商品图片 商品参数 品牌: Vishay(威世) 封装: PowerPAK SO-8 Single 批号: 24+ 数量: 20000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: ...