商品名称 型号 数量 品牌 封装/批号 价格 供应商 PDF资料 操作 SIS822DNT-T1-GE3 集成电路(IC) VISHAY 封装PowerPAK-1212-8 批次22+ SIS822DNT-T1-GE3 10040 VISHAY PowerPAK-1212-8 22+ ￥0.1800元10~99 个 ￥0.1540元100~999 个 ...
SI7106DN-T1-GE3 PowerPAK-1212-8封装 场效应管(MOS)VISHAY/威世 SI7106DN-T1-GE3 37612 VISHAY/威世 PowerPAK-1212-8 新批号 ￥1.0000元>=1 个 深圳市庆隆伟业科技有限公司 3年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 VISHAY 场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-...
封装 WSON-8 批号 23+ 数量 2000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 90C 最小电源电压 3.5V 最大电源电压 6V 长度 1.3mm 宽度 8.4mm 高度 2mm 可售卖地 全国 型号 CDCLVP1212 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况...
1212-8s封装原理是将芯片放置于封装内,然后连接芯片的引脚到封装外部的金属引脚。芯片上的引脚与其它引脚之间使用导线连接。这种连接方式为焊接或导电胶粘化方式。连接后,芯片上的功能就可以与外部电路或芯片进行通信或控制。 1212-8s封装通常用于先进的集成电路,例如智能手机、电脑等高端电子设备。©...
封装: 1212-8 批号: 2020+ 数量: 6000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Id-连续漏极电流: 8.9 A Rds On-漏源导通电阻: 295 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - ...
封装 PowerPAK-1212-8 批号 2022+ 数量 100000 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 PowerPAK-1212-8 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 100 V Id-连续漏极电流 30 A Rds On-漏源导通电阻 19.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电...
批号 PowerPAK-1212-8 数量 2000 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 PowerPAK-1212-8 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 108 A Rds On-漏源导通电阻 5.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 -...
封装 原厂原封 产品种类 电子元器件 起订量 样品可售 手机(同微) 18123845272 王 合规 RoHS 可售卖地 全国 深圳市维芯源电子科技有限公司,我司多年来一直专注从事电子元器件的经营业务!经销国内外多个品牌产品,以IC和贴片二、三极管为核心的贸易公司。主营品牌: TI,IR,ON,ST,TOSHIBA,FUJI,FAIRCHILD,...
封装: PowerPAK-1212-8 批号: 2023+ 数量: 20000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 40 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅...
起订数 50个起批 500个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 单片机系列 商品关键词 SQS411ENW、 Vishay、 PPAK1212-8 商品图片 商品参数 品牌: Vishay 封装: PPAK1212-8 批号: 22+ 数量: 6000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作...