每个振荡器由铁电场效应晶体管(FEFET,绿色部分)、电容器(C)、反馈电路(R-C)和耦合电容器(CC)组成:Oscillator 1 和 Oscillator 2分别表示两个耦合的振荡器;振荡器通过耦合电容器相互连接,形成反馈回路,控制振荡器的频率和相位;Coupling Capacitor(耦合电容):控制振荡器之间的相互影响强度。通过阿诺德图描述系统的同步...
铁电场效应晶体管的工作原理是利用应变电场来控制铁电材料的极化方向,从而改变通道电阻。当施加正向应变电场时,铁电材料的极化方向会从上下两个方向中的一个转向,导致通道电阻变化;而施加反向应变电场则可以将极化方向改回原来的方向,从而恢复通道电阻。 相比传统的晶体管技术,铁电场效应晶体管具有以下优点: 1.高速:铁电...
铁电场效应晶体管(FeFET)是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质,在其中植入场效应和电荷积累,实现了长期稳定的记忆效应。与传统存储器相比,它具有低功耗、高速度、高密度等优势。此外,由于其基于晶体管结构,因此易于集成到CMOS技术中。 铁电场效应晶体管已广泛应用于存储器、传感器和智能...
铁电场效应晶体管和忆阻器的材料不同。铁电场效应晶体管采用铁电材料作为栅介质层,而忆阻器则采用相变材料,如硫化锌、氧化锆等。 二、结构 铁电场效应晶体管和忆阻器的结构也有所不同。铁电场效应晶体管的结构类似于普通的MOSFET晶体管,但其栅介质层是铁电材料。而忆阻器的结构则...
铁电场效应晶体管是一种基于铁电材料的新型晶体管技术,其工作原理涉及到铁电材料的极化反转特性及其对半导体通道电流的调控。 一、铁电场效应晶体管的基本结构与组成 铁电场效应晶体管是在传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的基础上发展而来的,其核心区别在于将MOSFET中的栅极绝缘层(通常是SiO₂)替换为高介...
铪基铁电(FE)的发现促进了铁电场效应晶体管(FeFET)的发展,FeFETs具有超低功耗、快速擦除速度和强大的可扩展性,使其在非易失性存储器(NVM)领域占有一席之地。该晶体管的沟道电导由栅极铁电势垒的极化开关控制,从而实现器件的快速读写操作...
革命性铁电晶体管,或将彻底改变世界! 美国麻省理工学院发明了一种铁电材料制成的晶体管,可能会彻底改变电子学,并在未来一二十年改变世界,这项研究已发表在6月6日《科学》杂志上。 这项基础物理的重大突破,简单来说就是科学家们利用单层石墨烯作为沟道层,和超薄的铁电体双层氮化硼结合制成铁电场效应晶体管,当施加...
一种器件包括非易失性存储器和控制系统.该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列,其中至少一个非易失性存储器单元包括铁电场效应晶体管(FeFET)器件.FeFET器件包括第一和第二源极/漏极区,以及包括铁电层和设置在铁电层之上的栅极电极的栅极结构.铁电层包括邻近于第一源极/漏极区的第一区和邻近于第二源...
近日,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室和上海类脑智能材料与器件研究中心段纯刚教授团队,田博博教授和朱秋香副教授利用半导体能带理论阐明了界面接触对双极性电输运行为的影响机制,提出了范德华隧道结作为沟道的垂直隧穿铁电场效应晶体管(vertical tunneling FeFET)(图1a),不仅实现了双极性的电输运特性,还获得了...