田博博教授和朱秋香副教授利用半导体能带理论阐明了界面接触对双极性电输运行为的影响机制,提出了范德华隧道结作为沟道的垂直隧穿铁电场效应晶体管(vertical tunneling FeFET)(图1a),不仅实现了双极性的电输运特性,还获得了高达109的巨隧穿电致阻变效应和优异的存储特性。
这种晶体管结构利用铁电效应来调控沟道电荷载流子的性质,从而实现对器件的控制。 以下是这种晶体管的主要特点和原理: 1.材料选择:沟道部分通常采用铁电半导体材料。铁电材料表现出在外加电场下发生可逆极化的特性,这可以用来调节沟道的导电性质。 2.铁电效应:铁电效应是指材料在外部电场作用下能够表现出极化行为。对于...
随着铁电(FE)材料的最新进展,铁电场效应晶体管(FE-FET)被认为是用于M3D集成的最有前途、紧凑且节能的NVM候选者之一,因为它允许非破坏性读取操作。 成果介绍 有鉴于此,近日,美国宾夕法尼亚大学Deep Jariwala和Roy H. Olsson III(共同通讯作者)等提出了使用2D MoS2沟道和AlScN铁电材料的后端兼容FE-FET,所有这些都...
最近西安电子科技大学杭州研究院罗拯东教授等提出了一种具有垂直电荷输运沟道的铁电场效应晶体管,为非易失性存储器件和神经形态器件等领域的研究提供了新的思路。目前,在人工智能相关应用的推动下,基于非易失性存储器件和非冯(non von ...
近日,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室和上海类脑智能材料与器件研究中心段纯刚教授团队,田博博教授和朱秋香副教授利用半导体能带理论阐明了界面接触对双极性电输运行为的影响机制,提出了范德华隧道结作为沟道的垂直隧穿铁电场效应晶体管(vertical tunneling FeFET)(图1a),不仅实现了双极性的电输运特性,还获得了...
近日,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室和上海类脑智能材料与器件研究中心段纯刚教授团队,田博博教授和朱秋香副教授利用半导体能带理论阐明了界面接触对双极性电输运行为的影响机制,提出了范德华隧道结作为沟道的垂直隧穿铁电场效应晶体管(vertical tunneling FeFET)(图1a),不仅实现了双极性的电输运特性,还获得了...
近日,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室和上海类脑智能材料与器件研究中心段纯刚教授团队,田博博教授和朱秋香副教授利用半导体能带理论阐明了界面接触对双极性电输运行为的影响机制,提出了范德华隧道结作为沟道的垂直隧穿铁电场效应晶体管(vertical tunneling FeFET)(图1a),不仅实现了双极性的电输运特性,还获得了...
最近西安电子科技大学杭州研究院罗拯东教授等提出了一种具有垂直电荷输运沟道的铁电场效应晶体管,为非易失性存储器件和神经形态器件等领域的研究提供了新的思路。目前,在人工智能相关应用的推动下,基于非易失性存储器件和非冯(non von ...
《离子注入制备InN基n-沟道铁电场效应晶体管》是依托武汉大学，由刘昌担任项目负责人的面上项目。项目摘要 铁电存储器是一种在断电时不会丢失信息的非易失存储器，具有高速度、高密度、低功耗和抗辐射等优点。本项目选用氮化物半导体中具有最高电子迁移率的InN材料与具有同样六方对称结构的铁电材料YMnO3（YMO，锰酸...