一、一般性跨导公式:gm = ΔIc / ΔVbe 该公式描述了集电极电流变化量(ΔIc)与基极-发射极电压变化量(ΔVbe)的线性关系,适用于所有需要通过工作点小信号变化计算跨导的情况。例如,在分析晶体管放大电路的交流小信号模型时,需利用该公式推导动态跨导值。其本质反映了器件对电压-电流转...
公式一:gm = ΔIc / ΔVbe 释义:这个公式直接反映了跨导的物理含义,即输入电压变化导致输出电流变化的比率。ΔIc表示集电极电流的变化量,ΔVbe表示基极-发射极电压的变化量。 适用范围:适用于晶体管的小信号模型分析。 公式二:gm = Ic / Vt 释义:对于晶体管而言,跨导的计算可以进一步简化为这个公式。其中,Ic...
MOSFET的跨导gm是描述栅源电压对漏极电流控制能力的物理量。关于Vth_lin、Vth_sat和Vth_gm，以下是详细的解释：跨导gm：定义：跨导gm是描述MOSFET栅源电压Vgs变化对漏极电流Id影响程度的物理量。它是Ids对Vgs的偏导数，即gm = ∂Ids/∂Vgs。应用：跨导gm在模拟电路设计中非常重要，它决定...
这时候根据公式1.3和公式1.4,跨导gm随着晶体管尺寸W/L增加,同时过驱动电压Vgs-Vth减小,而增大。在公式1.3中,如果漏端电流Id是恒定的,那么减小过驱动电压Vgs-Vth,就意味着晶体管尺寸W/L必须增加。公式1.4的情况类似。因此,晶体管的漏端电流Id给定,同时晶体管的尺寸W/L也确定了,那跨导gm确定了。 工艺文件中常见...
其跨导与ID成正比 对于弱反型区(亚阈值区)的MOS,跨导gm有: gm=IDnkT/q 其跨导与电流ID成正比 2、1倍电流镜及3倍电流镜实现跨导恒定输入级 论文: CMOS Low-Voltage Operational Amplifiers with Constant-gm Rail-to-Rail Input Stage(该篇论文给出了1倍电流镜和3倍电流镜原理) ...
在MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管中,跨导gm是指栅极电压变化导致的漏极电流变化量,通常用毫安/伏(mA/V)来表示。 栅氧厚度是指栅氧化层的厚度,是影响MOS晶体管性能的关键参数之一。栅氧厚度决定了晶体管的阈值电压、驱动电流、开关速度等性能指标。 二、跨导gm和栅氧厚度的关系 跨导gm和栅氧厚度之间存在一定的...
跨导详解,跨导单位,跨导gm公式-KIA MOS管 跨导(Transconductance)是电子元件的一项属性。电导(G)是电阻(R)的倒数;跨导是指电子元件的输出端电流与输入端电压之间的比值。跨导通常用gm表示。 跨阻(转移电阻),也常常被称为互阻,是跨导的双重性。它是指两个输出点电压变化与两个输入点电流变化的比值,记为rm: ...
在该文章中,我们将详细讨论跨导的计算公式以及其在电子学中的应用。 2. 跨导的计算公式 跨导是一个输出端电流和输入端电压之间的比值,通常用下面的公式表示: Gm = dIout / dVin 其中,Gm表示跨导,Iout表示输出端电流,Vin表示输入端电压。 对于一个线性的增益器,增益可以表示为输出电流和输入电压之比: A = I...
gm恒定跨导电路(Constant gm Transconductance Circuit)是一种能够保持跨导恒定的电路结构。通过控制跨导的恒定性,我们可以实现电路的稳定性和性能的提升。 gm恒定跨导电路在现代电子技术中具有广泛的应用。它可以用于放大器、滤波器、混频器、振荡器等各种电路。在放大器中,gm恒定跨导电路可以提高电压增益和带宽,从而实现...
在学习了MOS管的一个转移特性曲线和输入输出特性曲线之后,MOS管的跨导gm也随着学习的进程呼之而出了。 仔细想,MOS管其实就是一个能够将电压“转换”成电流的一个器件。具体的操作形式就是我们给MOS管足够的VGS,根据之前的公式推导,就能够得到一个通过MOS管的电流ID,完成从电压到电流的转换。