跨导gm是衡量MOSFET栅极电压控制漏极电流能力的参数。其定义为漏极电流变化量(ΔId)与栅源电压变化量(ΔVgs)的比值,即gm = ΔId/ΔVgs。第二个空应填“栅源电压”,第三个空填“漏极电流”,表示Vgs对Id的控制能力。题目虽存在“MOSFE”拼写错误,但核心内容明确且完整,可正常作答。反馈 收藏
跨导gm是MOSFET的重要参数,定义为漏极电流变化量(ΔId)与栅源电压变化量(ΔVgs)的比值,即gm = ΔId/ΔVgs。它直接反映了栅源电压对漏极电流的控制能力:gm越大,说明栅极电压对漏极电流的影响越强,体现了器件的放大特性。由于题目空缺部分的表述与定义完全对应,且题目完整无缺失,因此可精准填入答案。反馈...
(2)gm参数简化模型 BJT低频跨导的定义 gm diC dvBE (2.43) Q 在交流小信号条件下, diC gm dvBE ic vbe Q (2.44) 表明BJT的ce端间可用一受控电流源来等效。 gm参数简化模型: 图2.21 BJT的 g m 参数简化模型 参数的估算 由于ic iE I ES e vBE VT vBE VT ,所...
跨导gm的定义:VDS一定时,把___电流相对于___电压的变化定义为MOSFET的跨导,相当于BJT的增益β。(填写源、漏或栅)的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高
解析 ΔId/ΔVgs;栅源电压;漏极电流 MOSFET的跨导gm定义为漏极电流变化量(ΔId)与栅源电压变化量(ΔVgs)的比值,即gm = ΔId / ΔVgs,反映栅源电压(Vgs)对漏极电流(Id)的控制能力。题中“MOSFE”应为“MOSFET”笔误,但问题内容完整,故可解答。反馈 收藏 ...
跨导gm定义式为( ),单位是( ),它是衡量( )的重要参数,gm越大,表示uGS控制iD的能力越( )。相关知识点: 试题来源: 解析 漏源电压一定的情况下,漏极电流的变化量与栅源电压变化量之比;西门子,S;场效应管放大能力,栅源电压对漏极电流的控制能力;越强 ...
更多“How does the transconductance parameter gm be determined ? 跨导gm是如何定义的?”相关的问题 第1题 如果家里的燃气灶进气不足,导致燃烧不完全,我们将看到火焰呈 A、黄色 B、蓝色 C、紫色 D、白色 点击查看答案 第2题 下面4组图形中,表达正确的一组是() A、 B、 C、 D、 点击查看答案 第...
变频跨导定义为输出中频电流IIm与输入信号电压幅值Vsm之(比),其值为gm(t)()分量一半的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
跨导gm是如何定义的? 点击查看答案 第7题 跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力,其单位为mS(毫西门子)。 点击查看答案 第8题 跨导gm定义式为() 点击查看答案 第9题 【分录题】跨导gm反映了场效应管()对()的控制作用。(填字母) A:栅源电压 B: 漏极电流 C: 漏极电压 点击查看答案 ...