一、一般性跨导公式:gm = ΔIc / ΔVbe 该公式描述了集电极电流变化量(ΔIc)与基极-发射极电压变化量(ΔVbe)的线性关系,适用于所有需要通过工作点小信号变化计算跨导的情况。例如,在分析晶体管放大电路的交流小信号模型时,需利用该公式推导动态跨导值。其本质反映了器件对电压-电流转...
公式:gm = Ic / Vt 符号说明: Ic:晶体管静态工作点下的集电极电流,由偏置电路决定。 Vt:热电压,与温度相关,室温(27℃)下约为26mV。 物理意义:通过晶体管正向放大区的指数特性(Ic ≈ Is·e^(Vbe/Vt)),推导得出gm与Ic的线性关系。 适用场景:快速估算跨导值,尤其适用于BJT放大电路设计或频率响应分析。 ...
跨导gm公式1.跨导gm公式是什么? 答:利用I对V的偏导求。注意,这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。例子:VdsMOS处于线形区。Id=u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)*Vds-0.5(Vds^2)]。然后I对Vgs求偏导即可:g = partial (Id)/partial (Vgs)= u*Cox*Vds*(W/L)。以上partial为偏导算符,打不出来,只能这么写...
MOS跨导gm公式是指通过计算MOS场效应管的源漏电流变化与栅极电压变化之间的比值，确定出MOS管的跨导值。其公式为：gm = ID / VG 其中，gm表示跨导，ID表示源漏电流，VG表示栅极电压。通过MOS跨导gm公式，可以计算出MOS管的跨导值，从而评估其电流放大能力和信号放大能力。此外，该公式也被广泛应用于MOS管的设计和...
跨导详解,跨导单位,跨导gm公式-KIA MOS管 跨导(Transconductance)是电子元件的一项属性。电导(G)是电阻(R)的倒数;跨导是指电子元件的输出端电流与输入端电压之间的比值。跨导通常用gm表示。 跨阻(转移电阻),也常常被称为互阻,是跨导的双重性。它是指两个输出点电压变化与两个输入点电流变化的比值,记为rm: ...
对场效应管而言,有下列公式成立 说明,某个Q点的跨导gm与K, (静态工作点)有关。 联系方式:邹先生 联系电话:0755-83888366-8022 手机:18123972950 QQ:2880195519 联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109 请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号 ...
在学习了MOS管的一个转移特性曲线和输入输出特性曲线之后,MOS管的跨导gm也随着学习的进程呼之而出了。 仔细想,MOS管其实就是一个能够将电压“转换”成电流的一个器件。具体的操作形式就是我们给MOS管足够的VGS,根据之前的公式推导,就能够得到一个通过MOS管的电流ID,完成从电压到电流的转换。
我们在写跨导gm的表达式时,知道gm有三种表达式。表达式含有的变量其实只有三个,一个W/L,一个Vgs-Vth,还有一个Id。 每个表达式其实只包含三个变量中的两个,例如下图中的公式(1)就是最常见的表达式,其中的gm是用W/L以及Vgs-Vth来表示的,如果将W/L用电流代替,则得到公式(2),如果将Vgs-Vth用电流代替,则得到...
Gm=dIout/dVin。Gm表示跨导，Iout表示输出端电流，Vin表示输入端电压。对于一个线性的增益器，增益可以表示为输出电流和输入电压之比A=Iout/Vin，跨导可以表示为增益除以输入电压Gm=A/Vin。这个公式表明，跨导取决于放大器的增益和输入电压。