一、一般性跨导公式:gm = ΔIc / ΔVbe 该公式描述了集电极电流变化量(ΔIc)与基极-发射极电压变化量(ΔVbe)的线性关系,适用于所有需要通过工作点小信号变化计算跨导的情况。例如,在分析晶体管放大电路的交流小信号模型时,需利用该公式推导动态跨导值。其本质反映了器件对电压-电流转...
对于MOSFET,其跨导公式与BJT不同,通常为:gm = √(2μCox(W/L)Id),其中μ为载流子迁移率,Cox为单位面积氧化层电容,W和L分别为栅宽和栅长,Id为漏极电流。 四、FET跨导的计算方法 对于FET(包括JFET和MOSFET),跨导gm通常表示为漏极或源极电流变化量与栅极电压变化量的比率,即gm = id / vgs。此外,还可以...
一般是利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。例子：VdsMOS处于线形区，Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载...
跨导的计算公式 在现代电子学领域中，一个非常重要的电路分析工具就是跨导（transconductance），它是指一个电路器件输出端电流和输入端电压之间的比值。跨导也称为电流放大系数，通常用符号Gm表示，并且具有单位A/V。跨导可被用于分析放大器电路、电路中的线性化、信号处理和其他广泛的应用。在该文章中，我们将详细讨论...
MOSFET工作在非饱和区时的Sah方程推导,并求解跨导gm和沟道电导gD,说明提高gm的具体措施;(每步2分,电导计算4分,措施3分) 相关知识点: 试题来源: 解析 答案:①引用欧姆定律,列沟道电流密度方程。-|||-若用Jc代表沟道电流密度,则-|||-dv(y)-|||-Jc(x.y)=-gunn(x,y)-|||-dy-|||-(4-49)-|||-...
跨导Gm的计算方法? 一般是利用I对V的偏导求。注意,这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。case1:VdsMOS处于线形区,Id=u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)*Vds-0.5(Vds^2)]然后I对Vgs求偏导即可:g = partial (Id)/partial (Vgs)= u*Cox*Vds*(W/L)以上partial为偏导算符,
<+-10mV的范围（此时gm近似等于用共模输入算出的静态gm），此时输入幅值变化引起的gm变化小到可以忽略...
为什么计算差模增益-gmRd中的跨导gm用共模输入时的电流来算？我觉着吧 .共模是偏置.也就是静态工作点....
RT
跨导Gm的计算方法 一般是利用I对V的偏导求。注意,这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。例子:VdsMOS处于线形区,Id=u*Cox*(W/L)*[(Vgs-Vt)*Vds-0.5(Vds^2)]然后I对Vgs求偏导即可:g = partial (Id)/partial (Vgs)= u*Cox*Vds*(W/L)以上partial为偏导算符,打