1、第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策1. 北京半导体照明科技促进中心2. 中关村半导体照明联合创新重点实验室第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅(S i)(1.1e V)和砷化镓(G a A s)(1.4e V)的宽禁带半导体材料。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越...
第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策 第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅(S i)(1.1e V)和砷化镓(G a A s)(1.4e V)的宽禁带半导体材料。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、... 郝建群,高伟,赵璐冰,... - 《新材料产业》...
第em3/em代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅(Si)(1.1eV)和砷化镓(GaAs)(1.4eV)的宽禁带半导体材料.它具备禁带宽度大,击穿电场高,热导率大,电子饱和漂移速率高,抗辐射能力强等优越性能,是固态光源,下一代射频和电力电子器件的"核心",在半导体照明,消费类电子,5G移...