ICS77.040 CCSH21 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT42902 2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 — Testmethodforsurfacedefectsonsiliconcarbideeitaxialwafers p Laserscatterin method g 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 / — GBT42902 2023 前 言 / ...
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。 标准编号:GB/T 42902-2023 标准名称:碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 起草单位:安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所。
碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法doi:GB/T 42902-2023全国半导体设备和材料标准化技术委员会钮应喜袁松张会娟刘敏仇光寅李京波彭铁坤袁肇耿杨龙闫果果
《GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。 状态:现行
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碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 Laser Scattering Method for Testing Surface Defects of Silicon Carbide Epitaxial Wafers GBT42902-2023, GB42902-2023 非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试:免费下载 GB/T 42902-2023 前三页,或者稍后再访问。
ICS77.040 CCSH21 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT42902 2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 — Testmethodforsurfacedefectsonsiliconcarbideeitaxialwafers p Laserscatterin method g 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 / — GBT42902 2023 前 言 / ...
《碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法》是为描述激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法而制定的标准。2023年8月6日,《碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法》由国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布,并于2024年3月1日实施。文件发布 2023年8月6日,《碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法》由国家...