行分析,在草案的基础上对标准的内容进行进一步的完善,形成《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第 3 部分:缺陷的光致发光检测方法》征求意见稿。 4、标准主要起草单位及人员所做的工作 中国电子科技集团公司第十三研究所作为本标准的主要承办单位,是国内最早开展SiC同质外延材料生长研究的单位...
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 标准编号:GB/T 43493.1-2023标准状态:现行 标准价格:43.0元客户评分: 立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务! 如何购买?问客服 标准简介 本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过...
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 1 范围 本文件规定了4H-SiC (碳化硅)外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过明场 光学显微镜 (OM)、光致发光 (PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。
`ICS31.08.99CCSL90中华人民共和国国家标准GB/TXXXXX.3—/IEC63068-3:00半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分:缺陷的光致发光检测方法Semiconductordevice-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwaferf
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类doi:20214653-T-469全国半导体设备和材料标准化技术委员会
在碳化硅衬底上异质生长氮化镓外延层,可以用来制造中低压高频功率器件(小于650V)、大功率微波射频器件以及光电器件;在碳化硅衬底上同质生长碳化硅外延层,可用于制造功率器件。 一般电压在600V左右时,所需要的外延层厚度约在6µm左右;电压在1200～1700V之间时,所需要的外延层厚度就达到10～15µm。如果电压达到10000...
控制碳化硅外延的缺陷是制备高性能器件的关键。不同类型的外延缺陷,如衬底缺陷、外延生长产生的位错以及宏观缺陷,都会对碳化硅功率器件的性能和可靠性产生影响。有效的缺陷控制是碳化硅外延技术发展的关键挑战之一。 碳化硅外延的制备方法主要包括化学气相淀积(CVD)、分子束外延(MBE)、液相外延法(LPE)、脉冲激光淀积和升华...
如果只看碳化硅衬底——外延——器件设计——器件制造这一阶段,碳化硅衬底占比47%,外延占比23%,器件设计+器件制造占比30%。 碳化硅优势:有利于小型化,可以使电感电容尺寸小型化,节省电容电感的材料成本,工作速度快,频率约是 10 倍。 工作温度更高,功率器件,IGBT等模块的话,约170度,碳化硅可达到200 度甚至更高...
碳化硅 功率器件 国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工! 2024-09-14 氧化镓凭借其性能与成本优势,有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料,近年来热度不断上涨... 半导体材料氧化镓 功率器件 8英寸碳化硅时代呼啸而来! 2024-09-09 近日,我国在8英寸碳化硅领域多番突破,中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升...
碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件 2021-08-16 10:46:40 什么是碳化硅器件 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET,特别是 SiC...