其他的特性是光谱灵敏度, 整流效应,以及其特性极大地取决于微量杂质。在20世纪30年代和40年代, 在对它们的物理性质有了基本的理解… 阅读全文 晶体结构 晶体中的原子在格点上有它们的安置中心,围绕格点它们能够振动。晶格在很大程度上是由原子之间的结合类型决定的。在所有已知的半导体中(除Se外),在所有方向上...
功率器件的封装和可靠性(一) 封装技术面临的挑战 功率半导体器件在工作过程中会产生损耗。用下面的例子来估算一下这种损耗的数量级。 IGBT 模块BSM50GB120DLC(英飞凌公司), 安装在一个风冷散热器上。 工作条件: 下列参数可在数据表上查到: 正向电压降: 单脉冲开通能量损耗: 单脉冲关断能量损耗: 的详细介绍见图5...
功率半导体是一 种广泛用于电力电子装置和电能转换和控制电路的半导体元件,可通过半 导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。 功率半导体具有能够支持高电压、大电流的特性,主要用途包括变 频、整流、变压、功率放大、功率控制等。除保障电路正常运行外,因其 能够减少电能浪费,功率半导体还能起到节能、省电的作用...
1181功率半导体器件——原理、特性和可靠性.pdf,第2章半导体的性质 2.1引言 半导体的研究已有很长的历史[ ^59’ ^54] 。从现象上看,它们被定义为这样ー种 物质,它的电阻率覆盖范围很宽,大约为i〇_4~i〇9n .0111 ,介于金属和绝缘体之 间,并在高温下,随着温度的升高而降
电力二极管:结构和原理简单,工作可靠 晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高 IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小; 缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低; ...
1.5 汇总下半控型和全控型功率器件的特性 02认识MOSFET 2.1 MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关电路; (1)主要选型参数:漏源电压VDS(耐压),ID 连续漏电流,RDS(on) 导通电阻,Ciss 输入电容(结电容),品质因数FOM=Ron * Qg等。(2)根据不同的工艺又...
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及...
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在...
由于结型耐压层实现难度较大，很长一段时间内对超结器件的研究主要体现在工艺上，包括耐压层实现技术与终端技术。同时将超结耐压层用于不同的功率半导体器件中，实现特性改善或形成新型功率半导体器件。3.1 工艺技术 超结工艺的难点是如何在耐压层内部引入周期性的异型掺杂，如图10所示为多次外延掺杂工艺，其中第一种...