功率器件的封装和可靠性(一) 封装技术面临的挑战 功率半导体器件在工作过程中会产生损耗。用下面的例子来估算一下这种损耗的数量级。IGBT 模块BSM50GB120DLC(英飞凌公司), 安装在一个风冷散热器上。 工作条件: 下列参数可在数据表上查到: 正向电压降: 单脉冲开通能量损耗: 单脉冲关断能量损耗: 的详细介绍见图5-...
1181功率半导体器件——原理、特性和可靠性.pdf,第2章半导体的性质 2.1引言 半导体的研究已有很长的历史[ ^59’ ^54] 。从现象上看,它们被定义为这样ー种 物质,它的电阻率覆盖范围很宽,大约为i〇_4~i〇9n .0111 ,介于金属和绝缘体之 间,并在高温下,随着温度的升高而降
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本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖,紧跟时代...
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电力二极管：结构和原理简单，工作可靠；晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中最高 IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；...
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