测试结果表明, MOSFET 具有较好的直流特性, 最大跨导为 0.36mS/mm,沟道电子迁移率为 14cm2/V.s 。和国外的九十年代中后期报 道水平相当。研究了工艺对栅氧化层质量的影响,用 SIMS方法分析了碳,氧,铝,氮,硅等元素在二氧化 硅中的分布, 为制作良好的氧化层提供了重要实验数据。 (4) (2001 年)[9] 研制...
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiC MOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应...
Si-IGBT+FRD SiC-MOSFET+SBD (SCH2080KE) 100ns 100ns Vge (5V/div) Vgs (5V/div) Ic (5A/div) Vce (100V/div) Id (5A/div) Vds (100V/div) Eoff=890.2uJ Eoff=109uJ ※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果,仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。 12 高频化使滤波器小型・轻量化...
electronicsfromaspectsofthemode,thebasicmaterial,thepatchmaterialandbondingmaterialselection.Atthesametime,thepaperwillgiveelectricalcharacteristicsandacousticscanresultsofthepackagingdevices.KeywordsSiliconCarbide,Packaging,HighTemperatureandHighVoltage,AcousticScan高温高压碳化硅功率器件封装技术研究赵妙1,许恒宇1,杨谦1,...
国外碳化硅大厂:产能疯狂扩张、丰富的产品组合 电子发烧友网报道(文/李诚)碳化硅、氮化镓这两种新型半导体材料,凭借其耐高温、耐高压、高频的特性在功率器件领域得到了广泛的应用。尤其是碳化硅功率器件 2021-11-11 09:32:27 碳化硅材料技术对器件可靠性有哪些影响 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分...
电气特性 (每个芯片,TC = 25 ° C除非另有说明) 符号 VF IR (1) 参数 正向电压 测试条件 IF = 10A TC = 175℃ VR = VRRM TC = 175℃ 分钟。 典型值。 1.8 2.0 10 马克斯。 2.2 2.7 100 1000 单位 V 反向电流 A 动态特性 QC 总库容 ...
高温高压碳化硅功率器件封装技术研究
碳化硅功率器件建模
碳化硅功率器件在电力电子中的应用_潘三博
为了验证系统的均流特性以及在母线电压600 V下的开关性能,对电子系统进行了双脉冲测试。测试条件为母线电压600 V,最大负载电流120 A,双脉冲测试整体波形如图9所示。 图9 并联器件600V/120A下均流测试波形 为了验证控制器性能,进行了一系列功...