本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与...
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普通功率肖特基二极管是将pin二极管的p + 区换为金属作为阳极形成的,其结构如图1-5所示。肖特基二极管是单极型器件,只由电子导电,故开关速度更快、反向恢复特性更优。此外,肖特基结(金属-半导体结)的势垒高度比pn结的低,因此肖特基二极管的正向开启电压只有0.3V左右,比pn二极管的0.7V更低,故能大幅降低导通损耗。但同...
《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术》作者:机械工业出版社,出版社:2021年7月 第1版,ISBN:99.00。本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的*新研究成果
作者致力于功率半导体器件测试、评估与应用技术的研究和推广工作,特别对SiC功率器件有深入研究和深刻认知,精通器件测试设备和测量方法。在多年的研究工作中,作者深深地体会到掌握功率器件原理、测量原理与设备、相关应用技术对更好地开展相关研究和提升变换器特性具有重要意义,同时还了解到广大科研人员和工程师对了解和掌握...
电子与通信>半导体技术>机工出版 >碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术自营 机械工业出版社京东自营官方旗舰店 登录查看更多图片 > 碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术 高远,陈桥梁 著 京东价 ￥ 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持 加入购物车 ...
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为 9 章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET 参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC 器件与 Si 器件特性对比,高 di/dt 的影响与应对——关断电压过冲