工业技术 电子通信 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,...
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参数的解读、测试及应用,双脉冲测试技术,SiC器件与Si器件特性对比,高di/dt的影响与应对——关断电压过冲,高dv/dt的影响与应对——crosstalk,高dv/dt的影响与应对...
作者致力于功率半导体器件测试、评估与应用技术的研究和推广工作,特别对SiC功率器件有深入研究和深刻认知,精通器件测试设备和测量方法。在多年的研究工作中,作者深深地体会到掌握功率器件原理、测量原理与设备、相关应用技术对更好地开展相关研究和提升变换器特性具有重要意义,同时还了解到广大科研人员和工程师对了解和掌握...
高远 陈桥梁编著创作的工业技术小说《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术》,已更新章,最新章节:undefined。本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参
猜你喜欢 1 碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术 2 碳化硅技术基本原理-生长、表征、器件和应用 3 功率半导体器件电场优化技术 4 氮化物半导体技术——功率电子和光电子器件 5 氮化镓功率晶体管 器件、电路与应用 6 食用变性淀粉-功能性碳水化合物及其应用技术丛书 7 碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术 ...
高远 陈桥梁编著创作的工业技术小说《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术》,已更新章,最新章节:undefined。本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术,概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础,SiCMOSFET参
肖特基二极管是单极型器件,只由电子导电,故开关速度更快、反向恢复特性更优。此外,肖特基结(金属-半导体结)的势垒高度比pn结的低,因此肖特基二极管的正向开启电压只有0.3V左右,比pn二极管的0.7V更低,故能大幅降低导通损耗。但同时也导致了其击穿电压低、漏电流大,因此适用于中低压应用场合。需要注意的是,尽管肖特基结...
碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术 高远,陈桥梁著 京东价 ￥降价通知 累计评价 0 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持 选择商品系列 光伏并网发电 高压直流输电 开关稳压电源 LED照明驱动电源 IGBT设计与工艺 汽车电力电子技术 风电系统控制 碳化硅器件 ...
温度特性测试：在不同的工作温度下，测试SiC器件的性能变化。这对于了解其在高温环境中的稳定性至关重要。3. 应用技术 器件选择：根据具体应用的需求，如电压、电流和工作环境，选择合适的SiC功率器件。驱动与保护：由于SiC器件的开关速度快，需要特殊的驱动策略来减少开关过程中的损失。同时，还需要确保器件在过电流、...
半导体技术 > 碳化硅功率器件特性测试和应用技术 高远 电力电子新技术系列图 碳化硅功率器件基本原理特性测试方法及应用技术 SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术基本原理生长表征氮化镓电力电子器件SiC材料工艺 鹰伟图书专营店 关注店铺 评分详细 商品评价: