《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分: 缺陷分类》标准制定是2021年第4批国家标准计划项目,计划项目批准文号:国标委发 【2021】41号,计划项目代号:-T-469。归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术 委员会(TC 203),执行单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(TC ...
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 1 范围 本文件规定了4H-SiC (碳化硅)外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过明场 光学显微镜 (OM)、光致发光 (PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。
`ICS31.08.99CCSL90中华人民共和国国家标准GB/TXXXXX.3—/IEC63068-3:00半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分:缺陷的光致发光检测方法Semiconductordevice-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwaferf
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 标准编号:GB/T 43493.1-2023标准状态:现行 标准价格:43.0元客户评分: 立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务! 如何购买?问客服 标准简介 本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过...
GB/T XXXXX 《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》旨在确定SiC 外延片中的缺陷分类和缺陷检测方法,预计由以下四个部构成: ——第1部分:缺陷分类; ——第2部分:缺陷的光学检测方法; ——第3部分:缺陷的光致发光检测方法; ——第4部分:缺陷的光学和光致发光综合检测方法。 ——第5...
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类doi:20214653-T-469全国半导体设备和材料标准化技术委员会
•GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 美国国防后勤局,关于功率半导体器件碳化硅的标准 •DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927高功率型,硅NPN晶体管半导体器件 •DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926高功率型,硅NPN晶体管半导体器件 ...
在碳化硅衬底上异质生长氮化镓外延层,可以用来制造中低压高频功率器件(小于650V)、大功率微波射频器件以及光电器件;在碳化硅衬底上同质生长碳化硅外延层,可用于制造功率器件。 一般电压在600V左右时,所需要的外延层厚度约在6µm左右;电压在1200～1700V之间时,所需要的外延层厚度就达到10～15µm。如果电压达到10000...
控制碳化硅外延的缺陷是制备高性能器件的关键。不同类型的外延缺陷,如衬底缺陷、外延生长产生的位错以及宏观缺陷,都会对碳化硅功率器件的性能和可靠性产生影响。有效的缺陷控制是碳化硅外延技术发展的关键挑战之一。 碳化硅外延的制备方法主要包括化学气相淀积(CVD)、分子束外延(MBE)、液相外延法(LPE)、脉冲激光淀积和升华...
专利摘要显示,本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆,该制备方法包括提供碳化硅衬底和外延层,在外延层的远离碳化硅衬底的第三表面形成沟槽,在沟槽内依次形成保护层和半导体层,去除半导体层的部分得到阻挡层,阻挡层覆盖沟槽的底部和至少部分侧壁,去除保护层的部分得到第一绝缘层,第一绝缘层...