1国家标准 《件 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别据 判据 第 1 1 部分:缺陷分类》编制说明一、 工 作简况1 1 、 立项目的和意义碳化硅(SiC)作为典型的宽禁带半导体材料,与硅(Si)相比,具有击穿电场高、导热率高、饱和电子漂移速度高和本征载流子浓度低等优越的物理性能,非常适合在大功率...
行分析,在草案的基础上对标准的内容进行进一步的完善,形成《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第 3 部分:缺陷的光致发光检测方法》征求意见稿。 4、标准主要起草单位及人员所做的工作 中国电子科技集团公司第十三研究所作为本标准的主要承办单位,是国内最早开展SiC同质外延材料生长研究的单位...
`ICS31.08.99CCSL90中华人民共和国国家标准GB/TXXXXX.3—/IEC63068-3:00半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分:缺陷的光致发光检测方法Semiconductordevice-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwaferf
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 标准编号:GB/T 43493.1-2023标准状态:现行 标准价格:43.0元客户评分: 立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务! 如何购买?问客服 标准简介 本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过...
•GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 美国国防后勤局,关于功率半导体器件碳化硅的标准 •DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927高功率型,硅NPN晶体管半导体器件 •DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926高功率型,硅NPN晶体管半导体器件 ...
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类doi:20214653-T-469全国半导体设备和材料标准化技术委员会
在碳化硅衬底上异质生长氮化镓外延层,可以用来制造中低压高频功率器件(小于650V)、大功率微波射频器件以及光电器件;在碳化硅衬底上同质生长碳化硅外延层,可用于制造功率器件。 一般电压在600V左右时,所需要的外延层厚度约在6µm左右;电压在1200~1700V之间时,所需要的外延层厚度就达到10~15µm。如果电压达到10000...
控制碳化硅外延的缺陷是制备高性能器件的关键。不同类型的外延缺陷,如衬底缺陷、外延生长产生的位错以及宏观缺陷,都会对碳化硅功率器件的性能和可靠性产生影响。有效的缺陷控制是碳化硅外延技术发展的关键挑战之一。 碳化硅外延的制备方法主要包括化学气相淀积(CVD)、分子束外延(MBE)、液相外延法(LPE)、脉冲激光淀积和升华...
金融界2024年10月23日消息,国家知识产权局信息显示,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司取得一项名为“碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件”的专利,授权公告号 CN 118248535 B,申请日期为 …
芯联越州取得碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件专利,专利,碳化硅,芯联越州,半导体器件,国产光刻机,国家知识产权局