《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分: 缺陷分类》标准制定是2021年第4批国家标准计划项目,计划项目批准文号:国标委发 【2021】41号,计划项目代号:-T-469。归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术 委员会(TC 203),执行单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(TC ...
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 1 范围 本文件规定了4H-SiC (碳化硅)外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过明场 光学显微镜 (OM)、光致发光 (PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。
GBT/IEC 63068-2:2019半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法 下载积分: 1600 内容提示: 文档格式:PDF | 页数:28 | 浏览次数:67 | 上传日期:2023-01-19 05:31:17 | 文档星级: 阅读了该文档的用户还阅读了这些文档 206 p. SL/T 277-2024水土保持...
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 标准编号:GB/T 43493.1-2023标准状态:现行 标准价格:43.0元客户评分: 立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务! 如何购买?问客服 标准简介 本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过...
GB/T XXXXX 《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》旨在确定SiC 外延片中的缺陷分类和缺陷检测方法,预计由以下四个部构成: ——第1部分:缺陷分类; ——第2部分:缺陷的光学检测方法; ——第3部分:缺陷的光致发光检测方法; ——第4部分:缺陷的光学和光致发光综合检测方法。 ——第5...
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类doi:20214653-T-469全国半导体设备和材料标准化技术委员会
在淘宝,您不仅能发现GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于GB/T 43493.3-2023 半导
在淘宝,您不仅能发现GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于GB/T 43493.2-2023 半导体器
GB/T 43493.1-2023 在中国标准分类中归属于: L90 电子技术专用材料,在国际标准分类中归属于: 31.080.99 其他半导体分立器件。GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类的最新版本是哪一版?最新版本是 GB/T 43493.1-2023 。
GB/T 43493.2-2023 在中国标准分类中归属于: L90 电子技术专用材料,在国际标准分类中归属于: 31.080.99 其他半导体分立器件。 GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法的最新版本是哪一版?