对于长沟道器件,沟道长度在几微米甚至更大,那么源漏区的耗尽区各自安好,但是随着沟道长度变短,两边的耗尽区会越来越近,甚至会靠在一起。这个时候便是所谓的源漏的耗尽区穿通,英文名曰Punch Through,由于这种穿通发生在沟道区之外的Bulk区,所以也可以叫Bulk Punch Through。 Punch through示意图。引自Dragica ...
Punch through示意图。引自Dragica Vasileska et al. “Tutorial for PADRE-BasedSimulation Modules (PN Junction Lab, MOSCap Lab, BJT Lab,MOSFETLab, MESFET Lab)” 以NMOS为例在源漏穿通发生之后,对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后,有一定可能被电场直接扫进漏极,进而被漏...
mos管有三种常见的工作模式,分别是开关模式、放大模式和源漏穿通模式。而源漏穿通模式就是指mos管在特定条件下,源极和漏极之间的电流始终保持流通,不受控制的一种工作状态。 在mos管的源漏穿通模式下,当栅极电压低于阈值时,mos管的漏极电流仍然存在。这是因为栅极电压低于阈值时,氧化层中形成了一个亚阈值电流...
源漏穿通 答案: 由于漏-源电压引起的源极和衬底之间的势垒高度降低,从而导致漏电流的迅速增大。 手机看题 你可能感兴趣的试题 名词解释 窄沟道效应 答案: 沟道宽度变窄后阈值电压的偏移。 手机看题 名词解释 轻掺杂漏(LDD) 答案: 为了减小电压击穿效应,在紧邻沟道处制造一轻掺杂漏区的MOSFET。 手机看题 名词解...
模拟结果说明重离子也能引起源-漏穿通效应,而且证明当器件的特征尺寸减小到1定尺度以下时,既能产生直接沟道效应,也能产生间接沟道效应。通过比拟不同特征尺寸器件在间接沟道入射时沟道处的等位线的分布情况,证明了当器件的特征尺寸越来越小时,源-漏穿通效应越来越明显。关键词:DESSIS 电荷漏斗模型 源-漏穿通效应 ...
[主观题] 源漏穿通 查看答案 更多“源漏穿通”相关的问题 第1题 窄沟道效应 点击查看答案 第2题 轻掺杂漏(LDD) 点击查看答案 第3题 生态工业园区规划的基本原则 点击查看答案 第4题 弱反型 点击查看答案 账号:尚未登录 登录 没有账号?去注册 我要提问 联系客服 购买搜题卡 题库练习 课程学...
短沟道,低衬底掺杂的情况下更容易发生漏源势垒穿通。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
在MOS管的漏极耗尽区,由于电场强度较大,会发生穿通效应,使得电子从漏区穿过势垒到达源区。这种现象会导致电流的限制,称为空间电荷限制电流。 空间电荷限制电流是MOS管中的一种重要限制因素,它与器件的结构参数、工作温度等因素密切相关。在MOS管的漏极耗尽区,由于电子的穿通现象,会形成一个电子云,这个电子云会对...
在公共场所,我们需要注意交通安全,遵守交通规则,不闯红灯、不乱穿马路、不酒后驾车等。此外,在公共场所活动时,要注意防范扒手、诈骗等犯罪行为,确保个人财产安全。同时,在参加大型活动时,要遵循活动现场的安全规定,有序参与,避免发生拥挤踩踏等意外事故。#遵守交通规则珍爱生命谨慎驾驶安全第一 #开车要谨慎注意安全 #...
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件和制造方法。根据一些实施例，通过穿过第一电介质层和第二电介质层暴露源极/漏极区域，来形成源极/漏极接触件。使第二电介质层在第一电介质层之下凹陷，并且在源极/漏极区域上形成硅化物区域，其中硅化物区域具有扩展的宽度。本文源自：金融界 作者：情报员 ...