对于长沟道器件,沟道长度在几微米甚至更大,那么源漏区的耗尽区各自安好,但是随着沟道长度变短,两边的耗尽区会越来越近,甚至会靠在一起。这个时候便是所谓的源漏的耗尽区穿通,英文名曰Punch Through,由于这种穿通发生在沟道区之外的Bulk区,所以也可以叫Bulk Punch Through。 Punch through示意图。引自D
Punch through示意图。引自Dragica Vasileska et al. “Tutorial for PADRE-BasedSimulation Modules (PN Junction Lab, MOSCap Lab, BJT Lab,MOSFETLab, MESFET Lab)” 以NMOS为例在源漏穿通发生之后,对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后,有一定可能被电场直接扫进漏极,进而被漏...
mos管有三种常见的工作模式,分别是开关模式、放大模式和源漏穿通模式。而源漏穿通模式就是指mos管在特定条件下,源极和漏极之间的电流始终保持流通,不受控制的一种工作状态。 在mos管的源漏穿通模式下,当栅极电压低于阈值时,mos管的漏极电流仍然存在。这是因为栅极电压低于阈值时,氧化层中形成了一个亚阈值电流...
当器件的特征尺寸缩小到一定尺度以下时,离子在沟道处以任意方向入射,都能导致源-漏穿通效应(统称其为直接沟道效应),甚至还会出现间接沟道效应,即离子入射不经过沟道时,也会对器件的沟道产生影响。以特征尺寸为0.18μm的MOSFET进行模拟,图7给出了离子垂直沟道入射时,源、漏、衬底处的收集电流图,从图中的电流收集增...
在MOS管的漏极耗尽区,由于电场强度较大,会发生穿通效应,使得电子从漏区穿过势垒到达源区。这种现象会导致电流的限制,称为空间电荷限制电流。 空间电荷限制电流是MOS管中的一种重要限制因素,它与器件的结构参数、工作温度等因素密切相关。在MOS管的漏极耗尽区,由于电子的穿通现象,会形成一个电子云,这个电子云会对...
百度试题 结果1 题目判断题 侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。相关知识点: 试题来源: 解析 正确 反馈 收藏
Punch through 发生在源极和漏极的耗尽区扩展得足够远以至于相互接触时,从而有效地短路了沟道区域。这使得电流可以直接从源极流向漏极,绕过栅极的控制。穿通更可能发生在短沟道器件中,因为源极和漏极之间的物理距离非常小。#电路短路#电的原理#短路#短路电流#电路问题#干路电流#回路电流法#电平转换#电路原理 ...
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搜标题 搜题干 搜选项 搜索 名词解释 源漏穿通 答案: 由于漏-源电压引起的源极和衬底之间的势垒高度降低,从而导致漏电流的迅速增大。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件和制造方法。根据一些实施例，通过穿过第一电介质层和第二电介质层暴露源极/漏极区域，来形成源极/漏极接触件。使第二电介质层在第一电介质层之下凹陷，并且在源极/漏极区域上形成硅化物区域，其中硅化物区域具有扩展的宽度。本文源自：金融界 作者：情报员 ...