当漏极电压低于BVDSS且栅极上没有偏压时,在栅极板下表层不形成沟道,且漏极电压全部由反向偏压的体漂移p-n结承受。 器件设计不良或处理不好会出现两种现象:晶体管穿通现象(Punch-through)和击穿现象(Reach-through)。 晶体管穿透现象: 当体漂移p-n结源极一侧的耗尽区在漏极电压低于器件的额定雪崩电压期间扩散到源...
普通运放和MOS管搭建高压源 精确测量击穿电压和漏电流 维普资讯 http://www.cqvip.com
综合 参数测试仪 【作者】李贺 【作者单位】无 【正文语种】中文 【中图分类】其他 普通运放和 M O S 管搭建高压 源精 确测量击穿电压和漏电 流卧 李贺 在中小功 率半导体器件的参数测试中 ,不 乏一些 高压的 器件 ,如 何准确稳 定地测出这类器 件的击 穿电压 和漏 电流 是 此类仪 器 最关 键的...
012.关于电力场效应晶体管,以下叙述中错误的是: A、在确定的栅压UGS下,MOSFET由可变电阻区进入饱和区时的直流电阻为通态电阻Ron,是影响最大输出功率的重要参数,因为它决定了通态管压降和自身损耗的大小; B、开启电压UT是指沟道体区表面发生强反型层所需的
电,使Q3栅极电压上升,作为放 大器输出Q3源极电压跟随上升. 当输出电压下降时,Q3漏极电流 大于Q2恒流源电流,将Q3栅极电 压拉低低于源极电压,Q3关断同 时Dl导通,漏极电压的下降通过 DI传到输出,使输出电压跟随QI 漏极电压下降. 电路的实现 为获得稳定的增益和静态工 ...
【摘要】在中小功率半导体器件的参数测试中,不乏一些高压的器件,如何准确 稳定地测出这类器件的击穿电压和漏电流是此类仪器最关键的问题之一。解决办法 之一是要有个精度高且可程控的电压源作为测试基准源,而市场上输出电压达千伏 级的运放器价格昂贵,且购买困难。本文通过普通运算放大器和 MOS 管构成可程 控 0～10...