一般漏电流在250μA时测量BVDSS。当漏极电压低于BVDSS且栅极上没有偏压时,在栅极板下表层不形成沟道,且漏极电压全部由反向偏压的体漂移p-n结承受。器件设计不良或处理不好会出现两种现象:晶体管穿通现象(Punch-through)和击穿现象(Reach-through)。晶体管穿透现象: 当体漂移p-n结源极一侧的耗尽区在漏极电压低于...
普通运放和MOS管搭建高压源 精确测量击穿电压和漏电流 维普资讯 http://www.cqvip.com
综合 参数测试仪 【作者】李贺 【作者单位】无 【正文语种】中文 【中图分类】其他 普通运放和 M O S 管搭建高压 源精 确测量击穿电压和漏电 流卧 李贺 在中小功 率半导体器件的参数测试中 ,不 乏一些 高压的 器件 ,如 何准确稳 定地测出这类器 件的击 穿电压 和漏 电流 是 此类仪 器 最关 键的...
电子元器件篇-场效应晶体管 | 场效应晶体管是一种典型的电压控制型半导体器件,场效应晶体管是电压控制器件,具有输入阻抗高,噪声小,热稳定性好。便于集成等特点,但是容易被静电击穿。【分类】场效应晶体管有三只引脚,分别为漏极(D)、源极(S)、栅极(G)根据结构不同,场效应晶体管可分为两大类:“结型”场效应...
012.关于电力场效应晶体管,以下叙述中错误的是: A、在确定的栅压UGS下,MOSFET由可变电阻区进入饱和区时的直流电阻为通态电阻Ron,是影响最大输出功率的重要参数,因为它决定了通态管压降和自身损耗的大小; B、开启电压UT是指沟道体区表面发生强反型层所需的
某建筑装饰公司酒店装修,焊接工王某将焊把交给张某,张某湿手接过焊把就倒地不起,脸朝上,右手握着的焊把贴在左胸,急送医院抢救,发现左胸有电灼伤的痕迹,系电流击穿心脏,抢救无效死亡。1.事故报告应当及时、准确、完整。任何单位和个人对事故不得迟报、漏报、谎报或者瞒报。A、对B、错2.关于预防触电事故的防护...
【摘要】在中小功率半导体器件的参数测试中,不乏一些高压的器件,如何准确 稳定地测出这类器件的击穿电压和漏电流是此类仪器最关键的问题之一。解决办法 之一是要有个精度高且可程控的电压源作为测试基准源,而市场上输出电压达千伏 级的运放器价格昂贵,且购买困难。本文通过普通运算放大器和 MOS 管构成可程 控 0～10...
普通运放和U0S管搭建高压源 精确测量击穿电压和漏电流 ■李贺 在中小功率半导体器件的参数测试中,不乏一些高压的器件,如何准确稳定地测出这类器件的击穿电 压和漏电流是此类仪器最关键的问题之一.解决办法之一是要有个精度高且可程控的电压源作为测试 基准源,而市场上输出电压达千伏级的运放器价格昂贵,且购买困难....