MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟 全部 夏春梅 贺朝会第1:西安交通大学摘要:用DESSIS器件模拟软件对MOSFET的单粒子效应进行了研究,模拟的结果与电荷漏斗模型[1]相吻合,说明了所建立的物理模型的正确性。在不同LET(Linear Energy Transfer)值的离子的入射下,MOSFET的漏极收集电流随LET值的增大而增大。模拟结果...
Punch through示意图。引自Dragica Vasileska et al. “Tutorial for PADRE-BasedSimulation Modules (PN Junction Lab, MOSCap Lab, BJT Lab,MOSFETLab, MESFET Lab)” 以NMOS为例在源漏穿通发生之后,对于载流子而言存在一个N-D-N的通道。源极的部分电子进入耗尽区后,有一定可能被电场直接扫进漏极,进而被漏...
在MOS管的漏极耗尽区,由于电场强度较大,会发生穿通效应,使得电子从漏区穿过势垒到达源区。这种现象会导致电流的限制,称为空间电荷限制电流。 空间电荷限制电流是MOS管中的一种重要限制因素,它与器件的结构参数、工作温度等因素密切相关。在MOS管的漏极耗尽区,由于电子的穿通现象,会形成一个电子云,这个电子云会对...
电子元器件篇-场效应晶体管 | 场效应晶体管是一种典型的电压控制型半导体器件,场效应晶体管是电压控制器件,具有输入阻抗高,噪声小,热稳定性好。便于集成等特点,但是容易被静电击穿。【分类】场效应晶体管有三只引脚,分别为漏极(D)、源极(S)、栅极(G)根据结构不同,场效应晶体管可分为两大类:“结型”场效应...
012.关于电力场效应晶体管,以下叙述中错误的是: A、在确定的栅压UGS下,MOSFET由可变电阻区进入饱和区时的直流电阻为通态电阻Ron,是影响最大输出功率的重要参数,因为它决定了通态管压降和自身损耗的大小; B、开启电压UT是指沟道体区表面发生强反型层所需的最高栅极电压,它表明了反型层形成的条件; C、MOSFET...