垂直晶体管中的浮体效应(Floating Body Effect)是指在绝缘体上硅(SOI)技术实现的晶体管中,晶体管的体电势对其偏置历史和载流子复合过程的依赖性影响。具体地说,晶体管的主体在绝缘基板上会形成一个电容器,电荷在这个电容器上的累积可能会产生一系列不利影响。例如,结构中的寄生晶体管可能会被打开,从而导致断态泄漏...
浮体效应是由于垂直结构晶体管顶部的电场作用引起的。当晶体管工作时,由于电场的作用,电子和空穴受到垂直方向上的力,从而形成了浮动效应。 具体来说,当PN结反向偏置时,顶部导电区域的N型区域会形成电子云。由于电子和空穴施加在该区域上的力的方向相反,电子云产生了从N区域向上的浮动效应。 这种浮动效应的产生是由于...