浮栅晶体管(Floating Gate Transistor)是一种特殊的非易失性存储器件,其基本结构是晶体管加上一个浮动的栅极,该栅极不与传导通道相连,它可以通过控制电场的方式进行充、放电来控制晶体管的导通。 二、浮栅晶体管常用的材质 1. 硅 硅是制造浮栅晶体管最常用的材料之一,其物理性质稳定,易于加工成各种尺寸和形状,同...
或许是灵光乍现,或许是积思所得,受到当时摆在餐桌上的蛋糕和三明治的启示,他脑海里浮现了“浮栅”FGMOS(Floating Gate MOSFET)的结构——两片面包夹着一片火腿肠。 因为当时所处环境的特殊性,施博士这一伟大构思,甚至只能简单地勾画在餐桌上的几张毫不起眼的面巾纸上。在草草地填饱了肚子之后,施敏和同事连夜开始...
浮栅晶体管结构浮栅晶体管(Floating Gate Transistor)是一种常见的非挥发性存储器元件,广泛应用于闪存和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)等存储器中。它的结构如下所示: 1.基础结构:浮栅晶体管是一种三端器件,由控制栅极、源极和漏极组成。控制栅极用于控制通道的导电性。 2.硅基底:浮栅晶体管的基底通常是由硅...
一、浮栅晶体管的基本结构和工作原理 浮栅晶体管(Floating Gate Transistor,FGT)是一种非易失性存储器件,由一根铝栅极和两个掺杂硅构成。它是一种场效应晶体管,也被称为浮栅场效应晶体管(FGFET)。 浮栅晶体管的基本结构如图所示,它包含了源极、漏极、栅极和浮栅。其中,浮栅与栅极之间由一层绝缘材料隔开,...
其中,浮栅有机场效应晶体管(Floating-Gate Organic Filed-Effect Transistor,FG-OFET)存储器因其优异的存储容量、单器件多比特存储以及与互补集成电路的高兼容性,成为高性能存储器件中极有前景的候选器件之一。在FG-OFET存储器中,载流子被存储在浮...
二维浮栅晶体管存储器是一种新型的存储器器件,与传统的DRAM和Flash存储器不同,它在结构上采用了二维的电荷感应膜(floating gate),利用载流子在电荷感应膜内的积累、损耗实现数据的存储和读取。相对于传统存储器,二维浮栅晶...
浮栅晶体管(Floating-gate Transistor)是一种具有高度可控性的电子器件,常被应用于信息存储和逻辑电路中。它是一种双栅型金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 在传统的MOSFET结构中,只存在一个栅极,用于控制通道的导电性。而浮栅晶体管引入了一个浮动的栅极,即浮栅,它与控制栅极之间存在一个绝缘层。这种浮动的...
浮栅场效应管符号 浮栅场效应管(Floating Gate Field Effect Transistor,简称FGFET)是一种利用浮栅电荷来控制电流的场效应晶体管。与普通场效应管相比,浮栅场效应管具有更高的开关速度、更低的漏电流和更好的抗辐射性能。因此,它在高速数字电路、存储器和射频电路等领域具有广泛的应用前景。 浮栅场效应管的基本结构...
浮栅型存储器(Floating-gate Memory)是一种非易失性存储器,主要应用于闪存、EPROM及EEPROM等场合。浮栅型存储器的基本原理是通过对MOSFET中的浮栅电荷的控制实现信息的储存和读取。 二、浮栅型存储器的结构 浮栅型存储器由晶体管(Transistor)和浮栅(Floating-gate)构成。 晶体管是由掺杂了扩散层的硅片和...
研究成果于2024年4月4日以“Broadband Artificial Tetrachromatic Synaptic Devices Composed of 2D/3D IntegratedWSe2-GaN-based Dual-Channel Floating Gate Transistors”为题,发表在《Advanced Functional Materials》。中国科学技术大学微电子学院博士后苏子佳、闫勇为论文共同第一作者,孙海定教授和左成杰教授为论文通讯作者...