背景技术 [0002] 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是由双 极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体 器件,兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管,简称GTR)的低导通压降 两方面的优点,且驱动功率小而饱和压降低,被广泛应用到...
依次制作第一导电 9 类型的缓冲区、第二导电类型的集电区和集电 6 8 3 极;去除支撑层。本申请可以提高IGBT的制作良 2 2 5 率。 1 1 N C CN 115223869 A 权利要求书 1/1页 1.一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法,其特征在于,包括: 提供第一导电类型的半导体衬底; 在所述半导体衬底的顶面两侧分别制作...
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物半导体场效应晶体管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET) 和双极结型晶体管 (Bipolar Junction Transistor,BJT) 的基础上,结合两者优点发展起来的一种新型复合电力半导体器件。经过穿通型(Punch-Through,PT)IGBT、非穿通...
GB/T 17008-1997 是一项由中国国家标准化管理委员会颁布的标准,全称为《绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号》。这项标准主要针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)领域,旨在统一和规范该领域内使用的专业术语及其对应的文字符号,以促进技术交流、设计、生产和应用等方面的一致性和准确性。
2018年出版,IGBT都更新到第七代了,《IGBT设计与工艺》作者还在通篇引用IGBT3的数据表,妥妥抄书,乐色!拿着以前的书乱炒一通,就来应付十三五出版任务了是吧。 > 更多短评 1 条 我要写书评 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计与工艺的书评 ··· ( 全部0 条 ) 论坛 ··· 在这本书的论坛里发言 当前版...
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IGBT工艺与设计难度形成较高行业壁垒 自上世纪80年代初至今,IGBT芯片技术处于技术更新迭代阶段,但实现技术的突破对工艺有较高要求,如薄片减薄后极易破碎,背面退火激活难等,皆导致IGBT迭代速度慢。历经七代,IGBT功率密度与开关频率逐代提高,导通压降下降,开关损耗降低,芯片尺寸更小。但由于国内车载功率半导体发展起步较晚...
因此,PT—IGBT适合生产低压器件,600V系~IGBT有优势。知识讲座。≯目前,Prr型IGBT模块大部分半导体公司已不生产,而只生产TO一220,TO一247或SOT一2',27等封装的IGBT单管,且一般功率较小,应用在小功率场合,比如高频感应加热炉(电磁炉),高频开关电源等领域。(3)面栅Nfyr型IIBT①NPT—IGBT的特点与PT型IGBT~N比...
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