宽禁带材料是指具有较大禁带宽度的半导体材料,其禁带宽度通常大于传统硅材料的禁带宽度。这一特点使得宽禁带材料在电子跃迁过程中需要更高的能量,因此具有较高的抗击穿能力和热稳定性。此外,宽禁带材料还具有高电子饱和速率和低介电常数等优点,为制备高性能功率半...
1.高性能晶体管:宽禁带二维半导体材料可以用于制造高性能晶体管,提高器件的响应速度和稳定性; 2.柔性电子器件:宽禁带二维半导体材料可以制备出柔性电子器件,用于柔性显示器、可穿戴设备等; 3.光电器件:宽禁带二维半导体材料可以用于制造光电器件,如...
摘要:以氧化镓、金刚石和氮化铝为代表的超宽禁带半导体是继硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅之后的第四代半导体材料,已被公认是推动微电子技术继续高速发展的关键技术,成为世界各国竞争的技术制高点。超宽禁带半导体具有大功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,是新一代大功率集成电路、电力电子功率器件、短波长光电...
宽禁带半导体材料与器件是指禁带宽度较大的半导体材料和器件。相对于窄禁带半导体材料和器件,它们具有更高的电导率和导电性能,被广泛应用于高功率和高频率电子器件、光电子器件、传感器等领域。 二、宽禁带半导体材料与器件的保密性问题 宽禁带半导体材料与器件的保密性备受争议。...
氮化镓(GaN)是近年来备受关注的宽禁带半导体材料。宽禁带材料,顾名思义,具有较宽的禁带宽度,这使得它们能够在高温、高频以及高功率等极端环境下保持优异的性能。氮化镓正是这一材料家族中的翘楚,凭借其独特的物理和化学性质,在半导体器件领域展现出了巨大...
现代宽禁带功率器件(SiC, GaN)上的开关晶体管速度越来越快,使得测量和表征成为相当大的挑战,在某些情况下几乎不可能实现。隔离探测技术的出现改变了这种局面,通过这一技术,设计人员终于能够放心地测量以前回避的半桥和波形。通过详细了解相关挑战,并使用适当的探测技术,电源工程师可以更加迅速、高效地表征和优化其设计。
近日,广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”在松山湖成立,该创新中心由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导,易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立。 2018-06-11 01:46:00 ...
从第一代的硅、锗材料发展到第二代的砷化镓和磷化铟等材料,以及目前市场需求巨大的第三代宽禁带半导体碳化硅、氮化镓、金刚石等材料,说明半导体材料向宽禁带的发展越来越快,应用场合也从晶体管、集成电路等,拓展到通讯、激光、电力电子以及微波等领域。 在高温环境下由于禁带宽度大,其本征激发所需要的温度越高,这就...
GaN:由镓(原子序数 31) 和氮(原子序数 7) 结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。 禁带:是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,GaN 的禁带宽度为 3.4eV,是硅的 3 倍多,所以说 GaN 拥有宽禁带特性(WBG)。禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。GaN 比传统硅材料更大的禁带宽...