宽禁带半导体材料是指带隙宽度大于3电子伏特的半导体材料。与传统的窄禁带半导体相比,宽禁带半导体具有以下特点: 1. 宽禁带:宽禁带使得宽禁带半导体具有较高的载流子禁带能量,使其能够在高温环境下工作,提高器件的稳定性和可靠性。 2. 高电子迁移率:宽禁带半导体的高电子迁移率使得它们在高频率和高功率应用中具有优势...
1. 带隙能量大:宽禁带半导体材料的带隙能量大,使其能够吸收更高能量的光子,具有较高的光电转换效率。 2. 热稳定性好:宽禁带半导体材料的热稳定性较好,能够在高温环境下工作,适用于高温电子器件的制备。 3. 抗辐照性强:宽禁带半导体材料对辐射的敏感性较低,能够在辐射环境下工作,适用于核能、航天等领域的应用。
4. 宽禁带功率晶体管:宽禁带功率晶体管是利用宽禁带半导体材料制备的功率晶体管。宽禁带材料的高热稳定性和高击穿电压使得功率晶体管具有较高的功率承载能力,适用于功率放大器、开关等高功率电子器件。 结论: 宽禁带半导体材料与器件在现代电子技术领域中具有重要的地位和广泛的应用。宽禁带材料的特点使得它们适用于高温...
宽禁带半导体材料与器件是指禁带宽度较大的半导体材料和器件。相对于窄禁带半导体材料和器件,它们具有更高的电导率和导电性能,被广泛应用于高功率和高频率电子器件、光电子器件、传感器等领域。 二、宽禁带半导体材料与器件的保密性问题 宽禁带半导体材料与器件的保密性备受争议。...
摘要:以氧化镓、金刚石和氮化铝为代表的超宽禁带半导体是继硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅之后的第四代半导体材料,已被公认是推动微电子技术继续高速发展的关键技术,成为世界各国竞争的技术制高点。超宽禁带半导体具有大功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,是新一代大功率集成电路、电力电子功率器件、短波长光电...
近日,共青团山东省委发布《共青团山东省委关于表彰2023-2024年度“山东青年五四先进集体”“山东青年五四先进个人”的决定》,材料科学与工程学部宽禁带半导体材料与器件关键技术攻关团队获评“山东省青春担当好团队”荣誉称号。 SUMMARY 2024 喜报 ...
(SiC)、氮化镓(GaN)为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。什么是宽禁带?物质的导电需要 2023-05-06 10:31:46 Cree Wolfspeed携手泰克,共迎宽禁带半导体器件发展契机与挑战
《宽禁带化合物半导体材料与器件（第二版）》是2023年浙江大学出版社出版的图书。 内容简介 随着信息技术的飞速发展，半导体材料的应用逐渐从集成电路拓展到微波、功率和光电等应用领域。传统元素半导体硅材料不再能满足这些多元化需求，化合物半导体应运而生并快速发展。本书以浙江大学材料科学工程学系“宽禁带化合物...
广东高校宽禁带半导体材料与器件工程技术研究中心是2009年由广东省教育厅、中山大学双方共建。工程技术研究中心批准建设日期为2009年12月22日，经过将近两年的建设，工程技术研究中心各项任务均圆满完成。现任工程技术研究中心主任王钢教授。研究方向 工程技术研究中心瞄准国际最新科学前沿和关键科学技术问题，开展半导体照明的...