革命性的半导体材料。氮化物半导体器件: 电子器件的未来发展方向。 氮化物宽禁带半导体材料特性与应用: 氮化物半导体具有宽禁带、高电子饱和漂移速度等优异特性,广泛应用于高频功率器件、光电子器件等领域。 发展历程: 介绍氮化物半导体材料的发展历程和关键里程碑。
氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景,而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是,材料结晶质量差和电学性能低,是限制 2018-07-26 09:09:00 宽禁带半导体材料有哪些 的角色。它们是构成电子器件和光电子器件的基础。根据禁带宽度的不同,半导体材...
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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件科学出版社 作者:郝跃,张金风,张进成出版社:科学出版社出版时间:2025年01月 手机专享价 ¥ 当当价 降价通知 ¥122.00 定价 ¥149.00 配送至 北京 至 北京市东城区 服务 由“木悠图书专营店”发货,并提供售后服务。
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有么有大神有（氮化物宽禁带半导体材料与电子器件）这本书的啊电子版的也行，最近想看一下，谢谢啦 ...