本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法,其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极,其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱,...
该3D堆叠半导体芯片架构包括 第一半导体芯片和第二半导体芯片,第一半导体 芯片包括第一晶片、提供在第一晶片的第一侧上 的第一前段(FEOL)层、提供在第一FEOL层上的第 一中段(MOL)层、提供在第一MOL层上的第一后段 (BEOL)层、提供在第一晶片的第二侧上的第一电 源轨层,第二半导体芯片包括第二晶片、提供在 ...
摘要：公开了键合的统一半导体芯片及其制造和操作方法的实施例。在示例中，统一半导体芯片包括第一半导体结构，其包括一个或多个处理器、嵌入式DRAM单元阵列以及包括多个第一键合触点的第一键合层。统一半导体芯片还包括第二半导体结构，该第二半导体结构包括NAND存储器单元阵列和第二键合层，该第二键合层包括多个第二键合...
《半导体器件机械和气候试验方法第19 部分: 芯片剪切强度儿 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本部分由全国半导体器件标准化技术委员会CSAC/TC 78)归口 . 本部分起草单位z 中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市标准技术...