半导体物理学_刘恩科_习题答案.pdf,半导体物理习题解答 1-1.(P32 )设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec (k )和价带极大值附近能量Ev (k )分 别为: 2 2 2 2 2 2 3h2 k 2 h k ) h (k −k 1 h k E (k)= + 和E (k)= -; c v 3m m 6m m 0 0 0 0 m0 为电
半导体物理学刘恩科习题答案权威版.pdf,半导体物理学 刘恩科第七版习题答案 课后习题解答一些有错误的地方经过了改正和修订! 第一章 半导体中的电子状态 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量E (k)和价带极大值附近能量E (k)分别 c V 为: 2 2 2 2 2 2 2 2 k (k
半导体物理学(刘恩科)第七版-完整课后题答案
第一章 1 设晶格常数为 a 的一维晶格 导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为 Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmkhkEmkkhmkhV 0m。试求 为电子惯性质量 nmaak314.0,1 1 禁带宽度; 2 导带底电子有效质量; 3 价带顶电子有效质量; 4 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解 1 eVmkE...
半导体物理学（刘恩科第七版）半导体物理学课本习题解⼀到四章 第⼀章 1．设晶格常数为a 的⼀维晶格，导带极⼩值附近能量E c (k)和价带极⼤值附近 能量E V (k)分别为：E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求：为电⼦惯性质量，...
半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案
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半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第四章习题及答案.pdf,第四章习题及答案 2 2 1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm ,如电子和空穴迁移率分别为3900cm /( V.S)和1900cm /( V.S)。试求Ge 的载流子浓度。 解:在本征情况下, ,由知 2 2 2. 试计算本征Si在室温时的电导率
《半导体物理学刘恩科第七版考题答案.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体物理学刘恩科第七版考题答案.pdf(8页珍藏版)》请在人人文库网上搜索。 第三章习题和答案第三章习题和答案 7. 在室温下,锗的有效态密度 Nc=1.0510 19cm-3,N V=3.910 18cm-3,试求锗的 载流子有效质量 m * n m * p。