半导体物理学(刘恩科)第七版-完整课后题答案.pdf,. 第一章习题 1 .设晶格常数为 a的一维晶格,导带极小值附近能量E ()和价带极大值附近 c 能量E ()分别为:V 2 2 h2 k k 2 2 2 2 2 h k ( ) h k 1 3h k E = 1 , E (k ) c V 3m m 6m m 0 0 0 0 m k...
半导体物理学_刘恩科_习题答案.pdf,半导体物理习题解答 1-1.(P32 )设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec (k )和价带极大值附近能量Ev (k )分 别为: 2 2 2 2 2 2 3h2 k 2 h k ) h (k −k 1 h k E (k)= + 和E (k)= -; c v 3m m 6m m 0 0 0 0 m0 为电
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半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第四章习题及答案.pdf,第四章习题及答案 2 2 1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm ,如电子和空穴迁移率分别为3900cm /( V.S)和1900cm /( V.S)。试求Ge 的载流子浓度。 解:在本征情况下, ,由知 2 2 2. 试计算本征Si在室温时的电导率
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《半导体物理学刘恩科第七版考题答案.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体物理学刘恩科第七版考题答案.pdf(8页珍藏版)》请在人人文库网上搜索。 第三章习题和答案第三章习题和答案 7. 在室温下,锗的有效态密度 Nc=1.0510 19cm-3,N V=3.910 18cm-3,试求锗的 载流子有效质量 m * n m * p。
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