半导体物理学(刘恩科第七版)课后答案(完整版)-阳光大学生网
半导体物理学(刘恩科、朱秉 升)第七版-最全课后题答案
在一个 n 型半导体样品中, 过剩空穴浓度为 10 13cm-3, 空穴 的寿命为 100us。计算空穴的 复合率。 2. 用强光照射 n 型样品,假 定光被均匀地吸收,产生过剩 载流子,产生率为,空穴寿命为。 (1)写出光照下过剩载流子 所满足的方程; (2)求出光照下达到稳定状 态时的过载流子浓度。 3. 有一块 n 型硅...
半导体物理学刘恩科第七版考题答案.pdf,第三章习题和答案 19 -3 18 -3 7. ①在室温下,锗的有效态密度 N =1.0510 cm ,N =3.910 cm ,试求锗的 c V * * 载流子有效质量m m 。计算77K 时的N 和N 。已知300K 时,E =0.67eV。77k n p C V g 时 E =0.76eV。求这两个温度
半导体物理学_第七版_刘恩科_课后答案[1-14章].khda.pdf,第一章 半导体中的电子状态 1. 设晶格常数为 a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec (k )和价带极大值附近 能量 Ev (k )分别为: 2 2 2 2 2 2 2 2 h kh (k k 1) − h k h3k E (k)= + 和 E (k)= -; c v 3m m 6m
文档介绍:答案网(,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:kh222−kkh)1(2kh223kh22Ec(k)=+和Ev(k)=-;3m0m06m0m0m0为电子惯性质量,k1=1/2a;a=。试求:①禁带宽度;②导带底电子有效质量;③价带顶电子有效质量;④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。[解]①禁带宽度Eg22kdEc...
半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第四章习题及答案.pdf,第四章习题及答案 2 2 1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm ,如电子和空穴迁移率分别为3900cm /( V.S)和1900cm /( V.S)。试求Ge 的载流子浓度。 解:在本征情况下, ,由知 2 2 2. 试计算本征Si在室温时的电导率
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半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第五章习题及答案