半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第一章习题及答案.pdf,第一章习题 1 .设晶格常数为 a 的一维晶格, 导带极小值附近能量 Ec(k) 和价带极大值附近能量 EV(k) 分别为: 2 2 2 2 2 2 2 2 h k h (k k ) h k 1 3h k 1 c E = , EV (k ) 3m m 6m m 0 0 0 0 m0 为电子惯性...
半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第四章习题及答案.pdf,第四章习题及答案 2 2 1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm ,如电子和空穴迁移率分别为3900cm /( V.S)和1900cm /( V.S)。试求Ge 的载流子浓度。 解:在本征情况下, ,由知 2 2 2. 试计算本征Si在室温时的电导率
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半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第四章习题及答案(精).pdf,第四章习题及答案 1. 300K 时,Ge 的本征电阻率为47Ωcm,如电子和空穴迁移率分别为 3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。试求Ge 的载流子浓度。解:在本征情况下, n=p=ni, 由ρ=1/σ= 47 ⨯1.602⨯10 -19
第四章习题及答案 1. 300K时, Ge的本征电阻率为 47Ωcm, 如电子和空穴迁移率分别为 3900cm2/( 和 1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。 1 1 知 = nqu n + pqu p ni q(u n + u p ) V.S) 解:在本征情况下, n = p = ni ,由ρ = 1 / σ = ni = 1 1 = = 2.29 ×10...
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