半导体物理学答案(完整版)(刘恩科版).pdf,第 1 页 第一章 半导体中的电子状态 1. 设晶格常数为 a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec (k )和价带极大值附近 能量 Ev (k )分别为: 2 2 2 2 2 2 2 2 h k h (k −k 1) h k 3h k E (k)= + 和 E (k)= -; c v 3m m 6m
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半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第四章习题及答案.pdf,第四章习题及答案 2 2 1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm ,如电子和空穴迁移率分别为3900cm /( V.S)和1900cm /( V.S)。试求Ge 的载流子浓度。 解:在本征情况下, ,由知 2 2 2. 试计算本征Si在室温时的电导率
《半导体物理学刘恩科第七版考题答案.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体物理学刘恩科第七版考题答案.pdf(8页珍藏版)》请在人人文库网上搜索。 第三章习题和答案第三章习题和答案 7. 在室温下,锗的有效态密度 Nc=1.0510 19cm-3,N V=3.910 18cm-3,试求锗的 载流子有效质量 m * n m * p。
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(5) m*p k m*n (2n 1) a m * p 2m 3 2 1. 1 ρ 2 3 2. As Ge As 5 Ge As As Ge ρ n . , As 3. Ga N Ge N p Ga 3 Ge Ge Ga Ga Ge Ga Ga P 4. Si GaAs IV III-V Si GaAs Ga Si GaAs As Ga As 5. 1 N D>>NA ND-NA n= ND-NA 2 NA>>ND NA-ND NA ...
半导体物理学(刘恩科第七版)习题答案(比较完全).pdf,第一章习题 1.设晶格常数为 a 的一维晶格,导带极小值附近能量 E (k)和价带极大值附近 c 能量 E (k)分别为: V 2 2 h2 (k − k )2 2 2 2 2 h k 1 h k 1 3h k Ec + ,EV (k ) = − 3m m 6m m 0 0 0 0 π m0 为电子惯