解析 化学气相沉积简单来说就是两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到气体表面上。从气相中析出的固体的形态主要有以下几种:在固体表面上形成薄膜、晶须和晶粒,在气体中形成粒子。反馈 收藏
是通过化学反应的方式,利用加热等离子激励火光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 化学气相沉积反应技术的反应原理:CVD是一种材料表面改性技术。它利用气相间的反应,在不改变基体材料的成分和不削弱基体材料的强度条件下,赋予材料表面一些特殊的性能...
化学气相沉积(CVD):挥发性化合物材料与其它气体进行化学反应,生成非挥发性固体,沉积于基板之上的过程。___PVD特点:物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰...
答: 有机金属化学气相沉积法是一个利用有机金属化合物热分解反应进行气相外延生长薄膜CVD技术。(2分) 选择含有化合物半导体元素原料时须满足以下条件: (1)在常温下较稳定且轻易处理; (4分) (2)反应副产物不应妨碍晶体生长, 不应污染生长层; (6分) (3)为适应气相生长, 在室温周围应含有合适蒸气压。(8分)...
通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl₄，H₂，CH₄等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。特点 化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。I) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2) CVD...
有机金属化合物化学气相沉积法简称MOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或有机金属化合物气相外延法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)简称MOVPE或OMVPE法。它是把反应物质全部以有机金属化合物的气体分子形式,用H2气作载带气体送到反应室,进行热分解反应而形成化合物半导体的一种新技术。由于它用控制...
根据化学反应的形式，化学气相沉积制粉法可以分为5种：(1)热分解法。是利用金属或非金属化合物蒸气在一定温度下进行热分解来获得粉末的方法。(2)氢还原法。是利用氢气在一定温度下还原化合物来获得粉末的方法。(3)复合反应法。是利用两种或两种以上成分同时进行化学反应来获得粉末的方法。(4)固相扩散反应法。是将...
热丝法化学气相沉积，亦称“热解化学气相沉积”。通过热解含碳气体制备金刚石的方法。在由石英管或类似容器构成的真空反应室上部水平安装以难熔金属材料如钨、铌、钽等制成的灯丝，加热到2000℃以上；把用于沉积金刚石的基片置于热丝下方，向真空室中冲入甲烷等含碳气体和氢，在灯丝的高温作用下反应气体分解成离子，...
化学气相沉积法有哪些反应类型，该法对反应体系有什么要 化学气相沉积法是指两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上.淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子,它是由硅烷和氮反应形成的.