X-Cube可灵活应用于未来芯片之上，包括5G、AI和高性能计算等领域的芯片均可使用该技术。三星表示X-Cube已经在自家的7nm和5nm制程上面通过了验证，计划和无晶圆厂的芯片设计公司继续合作，推进3D封装工艺在下一代高性能应用中的部署。三星将会在下星期的Hot Chips峰会上公布关于X-Cube的更多信息。在三星推出X-Cube之...
三星自家的3D封装技术叫做X-Cube，基于TSV硅穿孔技术将不同芯片堆叠，已经可以将SRAM芯片堆叠到芯片上方，释放了占用空间，可以堆栈更多内存芯片。此外，TSV技术还可以大幅缩短芯片之间的信号距离，提高了数据传输速度，降低了功耗，并且客户还可以按需定制内存带宽及密度。目前三星的X-Cube技术已经可以用于7nm及5nm工艺，...
前有台积电的CoWoS,Intel的Foveros,现在三星也公布了自家的3D封装技术X-Cube。显而易见的是,未来我们买到的电子产品中,使用3D封装技术的芯片比例会越来越高。 台积电的CoWoS封装是一项2.5D封装技术,它可以把多个小芯片封装到一个基板上,这项技术有许多优点,但主要优势是节约空间、增强芯片之间的互联性和功耗降低,AMD...
X-Cube 3D可大规模投产 而三星的X-Cube意为拓展的立方体。不同于以往多个芯片平行封装,全新的X-Cube 3D封装允许多枚芯片堆叠封装,使得成品芯片结构更加紧凑。而芯片之间的通信连接采用了TSV技术,而不是传统的导线。 据三星介绍,目前该技术已经可以将SRAM存储芯片堆叠到主芯片上方,以腾出更多的空间用于堆叠其他组件...
将芯片从2D平铺封装改成3D立体式堆叠式封装已经成为目前半导体业界的共识,这种在第三维度上进行拓展的封装技术能够有效降低整个芯片的面积,提升集成度。目前业界领头羊都在3D封装技术上面努力着,前有台积电的CoWoS(实际上是2.5D),后有Intel的Foveros,现在三星也公布了自家的3D封装技术,叫X-Cube。
三星宣布其 X-Cube 3D IC 封装技术已可投入使用 IT之家 8 月 13 日消息 几个月前，三星开始使用其全新的 5 纳米 EUV 技术制造芯片，但这并不意味着该公司没有改进其旧技术。今天早些时候，这家韩国科技巨头表示，其新的 X-Cube 3D IC芯片封装技术已经可以使用，该技术可以同时提供更快的速度和更好的能源...
作为全球先进芯片生产厂商，三星已经在几个月前投产新一代的5nm EUV制程工艺，用于制造最精密的芯片。近日，三星又对外宣布其全新的芯片封装技术X-Cube 3D已经可以投入使用，三星宣称该技术可以使封装完成的芯片拥有更强大的性能以及更高的能效比。 从对比示意图可以看到，不同于以往多个芯片平行封装，全新的X...
三星电子成功研发3D晶圆封装技术「X-Cube」 三星电子成功研发3D 晶圆封装技术「X-Cube」,宣称此种垂直堆叠的封装方法,可用于7 纳米制程,能提高晶圆代工能力,要借此和业界领袖台积电一较高下。 三星官网13日新闻稿称,三星3DIC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via,TSV),能让速度和能效大跃进,以协助...
三星电子宣布,已经成功将 3D 叠加技术应用于使用 7nm 极紫外(EUV)芯片制造工艺制造的测试芯片上。 该技术被称为 X-Cube,三星使用这种技术将 SRAM 堆叠在逻辑芯片的顶部。这与传统方法不同,传统的方法是将用于高速缓存的 SRAM 放在 CPU 和 GPU 等逻辑芯片的同一平面上。
X-Cube 3D可大规模投产 而三星的X-Cube意为拓展的立方体。不同于以往多个芯片平行封装,全新的X-Cube3D封装允许多枚芯片堆叠封装,使得成品芯片结构更加紧凑。而芯片之间的通信连接采用了TSV技术,而不是传统的导线。 据三星介绍,目前该技术已经可以将SRAM存储芯片堆叠到主芯片上方,以腾出更多的空间用于堆叠其他组件,目...