如图1所示,与铁镍合金相比,铜合金的封装更容易因为分层而导致开裂。而EMC与铜框架之间结合力的低下,主要归因于封装过程中铜框架上氧化膜厚度的增加。因此,对氧化层的深入分析对于提高封装体的可靠性具有重要意义。 在封装过程中,框架会经历一系列的加温工序,其中装片后的固化和键合是导致塑封前框架氧化的关键步骤。目...
铜框架在等离子清洗过程中易出现氧化,主要源于三方面因素。首先,清洗溶液的成分至关重要。等离子清洗机所使用的溶液通常含有氧气、水及氢氧化钠或氢氧化钾,若这些氢氧化物浓度过高,会加速铜材表面的氧化反应。其次,清洗过程中的氧化作用也不容忽视。当氢氧化物溶液与铜材接触时,会发生化学反应导致氧化。同时,清洗气体中...
使用等离子清洗机清洗铜框架时,如果清洗溶液中氢氧化钠或氢氧化钾的浓度过高,容易导致清洗过程中的氧化反应加速,导致铜框架表面出现氧化现象。 二、清洗过程中氧化作用的影响 在等离子清洗机清洗过程中,氢氧化物的清洗溶液与铜材表面反应会导致表面产生氧化反应,进而导致铜...
几分钟到几小时内开始氧化。铜框架表面氧化时间取决于多种因素，如环境温度、湿度、氧气浓度、铜框架表面处理方式等，铜框架表面会在几分钟到几小时内开始氧化，形成一层氧化铜膜。这层氧化铜膜可以保护铜框架不被进一步氧化，同时也可以增加铜框架的耐腐蚀性和美观度，但如果氧化铜膜过厚或不均匀，可能...
理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度,通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生 长曲线,从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度,为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据。 关键词:铜框架;表面氧化;氧化膜厚度 中图分类号:TG146 文献标志码:A ...
在这里,通过利用耐药癌细胞中高水平但动态平衡的细胞氧化还原平衡的生化脆弱性,设计了一种纳米铜/邻苯二酚基金属有机框架(CuHPT),有效地扰乱了这种平衡,使其向氧化压力倾斜。在耐药细胞内,CuHPT开始分解,这是由细胞谷胱甘肽(GSH)的持续消耗引发的...
IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理
华中科技大学夏宝玉/刘宏芳教授报告了色氨酸和组氨酸处理的铜金属-有机框架(Cu-MOFs)。这种氨基功能化的铜-有机框架对抗坏血酸氧化显示出高度的选择性活性,可以作为敏感的汗液传感器中高效的抗坏血酸氧化酶模拟材料。实验和计算结果...
S upp 1 . 2 A u gust 2 006 IC 铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理 沈宏 ,李明,毛 大立 (上海交通大学材料学院,金属基复合材料国家重点实验室 ,上海 200030) 摘要 :通过氧化膜 剥落 实验发现 ,在 相同条件下 ,EFTE C64T 和 C 194 两种材料的氧化膜与基底 结合 强度较高 ,不易 剥离,而 C5 l9...
Ar和H2的混合气体可以在CRF等离子表面处理机中使用数十秒,以去除铜引线框架上的氧化物和有机物。 CRF等离子处理机可以提高表面性能,提高焊接能力,芯片封装和粘接的可靠性。 等离子处理机的表面处理改善了材料表面的润湿性,提高了粘附强度和粘附强度,以及去除有机污染物,增加对油或油脂的应用。