EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 概览英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 1200V 系列可通过高效的隔离式栅极输出进行轻松操控，而基于英飞凌核心平衡技术的 EiceDRIVER™ 电隔离栅极驱动器 IC 正是理想之选。这款驱动器不仅功能全面，还具备多项关键参数，如出色的传播延迟匹配、精准的输入滤波器、宽范围输出侧电源，以及负栅极...
SiC MOSFET D²PAK-7L封装 采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-...
盖世汽车讯 6月13日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies)宣布推出适用于汽车应用的新一代1200 V CoolSiC™ MOSFET,采用TO263-7封装。该车规级碳化硅(SiC)MOSFET可提供高功率密度和效率,支持双向充电,并可显著降低车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。 图片来源:英飞凌 与第一代产品相比,新1200 V CoolSiC...
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为了回馈广大工程师用户对英飞凌以往开发板活动的支持与关注,本次这款优秀的驱动片的评估板免费送了,评估板是半桥结构,包含两个6.5A 2300V 栅极驱动器1ED3142MU12F,两个 20mΩ1200V CoolSiC™ SiC MOSFET IMZA120R020M1H,玩转评估板,学习SiC MOSFET驱动技术,物超所值。点击下方卡片提交信息即可加入申请,参与表...
「英飞凌新品」采用1200V SiC M1H芯片62mm半桥模块系列产品扩展 新品采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了M1H芯片技术，模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。现可提供2.9mΩ 1200V新规格，带或不带热界面...
作为领先的碳化硅(SiC)芯片,这款CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H适用于一系列产品组合,将采用流行的Easy系列模块,以及使用.XT互连技术的离散封装。 盖世汽车讯 据外媒报道,英飞凌公司(Infineon Technologies A…
英飞凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的电力电子应用解决方案。英飞凌G2 mosfet在25°C时的额定电压为1200V,在+100°C时的I(DDC)为6.2A,在18V栅源电压时的R(DS(on))为233.9毫欧。这些mosfet具有优异的电气特性和极低的开关损耗,能够实现高效的工作。mosfet专为过载条件设计,支持高达+200°C的工作,并...
「英飞凌」1200V CoolSiC™ MOSFET 半桥和三相桥Easy模块 新品 1200V CoolSiC™ MOSFET半桥和三相桥Easy模块 EasyDUAL™ 1B和EasyPACK™ 1B采用CoolSiC™ MOSFET增强型1代，适用于1200V应用。这些模块采用PressFIT压接技术并带NTC温度检测。它们还提供预涂热界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型号。相关器件...
德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。